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IAUT240N08S5N019ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=80 V, 240 A, HSOF-8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 2888478
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IAUT240N08S5N019ATMA1

IAUT240N08S5N019ATMA1概述

    IAUT240N08S5N019 OptiMOS™-5 Power-Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IAUT240N08S5N019 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N沟道增强模式功率晶体管。该产品属于 OptiMOS™-5 系列,具有高可靠性、低导通电阻(Rds(on))等特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、电动汽车和工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    ||
    | 持续漏极电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | A | 240 | - | - |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | TC=25°C | A | - | 960 | - |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | V | - | 80 | - |
    | 门阈电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=160μA | V | 2.2 | 3.0 | 3.8 |
    | 门泄漏电流 | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | nA | - | - | 100 |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=6V, ID=60A | mΩ | - | 2.0 | 3.0 |
    | 工作温度范围 | Tj, Tstg | - | °C | -55 | - | 175 |
    | 热阻 | RthJC | - | K/W | - | - | 0.65 |

    3. 产品特点和优势


    - N沟道增强模式:提供快速开关性能和高可靠性。
    - AEC认证:适用于汽车电子应用。
    - MSL1级:最高峰值回流温度可达260°C,确保在恶劣环境下的稳定性。
    - 超低Rds(on):仅1.9mΩ,有助于降低功耗并提高效率。
    - 100%雪崩测试:确保长期可靠运行。
    - 绿色产品:符合RoHS标准,环保无害。

    4. 应用案例和使用建议


    - 开关电源:由于其低导通电阻和高击穿电压,非常适合用于高频开关电源设计。
    - 电机驱动:可用于电动工具和机器人驱动系统,提供稳定的电流控制。
    - 电动汽车:适用于电池管理系统,帮助实现高效能源管理。
    使用建议:
    - 在选择配套元件时,应确保其与IAUT240N08S5N019在电气特性上兼容。
    - 为避免热失控,设计时需考虑适当的散热措施,如加装散热片或使用强制风冷。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IAUT240N08S5N019 可以与其他Infineon Technologies生产的功率半导体器件无缝集成。
    - 支持:Infineon提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 无法启动 | 检查门极电压是否达到规定值 |
    | 温度过高 | 确保良好散热并检查负载条件 |
    | 寿命较短 | 请咨询Infineon工程师确认是否存在安装问题或操作不当|

    7. 总结和推荐


    综上所述,IAUT240N08S5N019 OptiMOS™-5 功率晶体管凭借其卓越的性能和高度可靠性,成为许多工业和汽车应用的理想选择。它特别适合于需要高效率和低损耗的场合。我们强烈推荐此产品给那些需要高性能功率晶体管的设计师和工程师们。
    请注意,为了确保最佳效果,建议详细阅读完整的产品技术手册,并与Infineon Technologies保持联系,获取最新的技术支持和服务。

IAUT240N08S5N019ATMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 240A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V@ 160µA
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9mΩ@ 100A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.264nF@40V
通道数量 1
最大功率耗散 230W(Tc)
栅极电荷 130nC@ 10 V
通用封装 HSOF-8
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IAUT240N08S5N019ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IAUT240N08S5N019ATMA1数据手册

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