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IPA60R160C6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 34W(Tc) 20V 3.5V@ 750µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 600V 160mΩ@ 11.3A,10V 23.8A 1.66nF@100V TO-220 通孔安装 9.83mm(高度)
供应商型号: REB-TMOSP9660
供应商: 海外现货
标准整包数: 50
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA60R160C6XKSA1

IPA60R160C6XKSA1概述

    600V CoolMOS™ C6 Power Transistor IPA60R160C6, IPB60R160C6, IPP60R160C6, IPW60R160C6

    1. 产品简介


    CoolMOS™ 是英飞凌科技公司开发的一种高压功率MOSFET技术,遵循超级结(Super Junction, SJ)原理。CoolMOS™ C6 系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与创新,提供了快速切换SJ MOSFET的所有好处,而不会牺牲易用性。这种产品极低的开关损耗和导通损耗使其成为更高效、紧凑、轻便且凉爽的切换应用的理想选择。

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键性能参数:
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 | 备注 / 测试条件 |

    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 600 | V | VGS=0 V, ID=0.25 mA |
    | 门源阈值电压 | VGS(th) | 2.5~3.5 | V | VDS=VGS, ID=0.75 mA |
    | 门源漏电流 | IDSS | ≤1 µA VDS=600 V, VGS=0 V |
    | 门源泄漏电流 | IGSS | ≤100 nA VGS=20 V, VDS=0 V |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | ≤0.16 Ω VGS=10 V, ID=11.3 A, Tj=25 °C |
    | 输入电容 | Ciss | 1660 | pF | VGS=0 V, VDS=100 V |
    | 输出电容 | Coss | ≤100 VGS=0 V, VDS=480 V |
    | 门源电荷 | Qg | 75 | nC | VDD=480 V, ID=11.3 A, VGS=0~10 V |

    3. 产品特点和优势


    - 极低损耗:由于很低的FOM (RdsonQg) 和Eoss值。
    - 高抗浪涌能力:能够承受单脉冲的雪崩能量达497mJ。
    - 易于驱动:具有较低的门电阻,适合快速切换应用。
    - 符合标准:JEDEC认证,无铅镀层,无卤素。

    4. 应用案例和使用建议


    CoolMOS™ C6 MOSFET可广泛应用于多种电源转换电路,如PFC阶段、硬开关PWM阶段和共振切换PWM阶段。例如,在PC Silverbox、适配器、LCD/PDP电视、照明、服务器、电信和UPS系统中均有广泛应用。
    使用建议:
    - 在并联MOSFET时,推荐在门级使用铁氧体磁珠或独立的推拉极来改善性能。
    - 在设计电路时,注意热管理以避免过热,特别是连续运行时要确保散热良好。

    5. 兼容性和支持


    CoolMOS™ C6系列产品提供了几种封装选项,包括PG-TO220 FullPAK、PG-TO247、PG-TO263等。这使得它能够灵活适用于各种不同的应用场景。英飞凌还提供了一系列的设计工具和文档支持,以便于客户进行设计。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关时间不符合预期 | 检查电路布局及门电阻设置是否合理 |
    | 温度过高 | 确保良好的散热措施,检查是否需要增加散热片或改变散热方式 |
    | 性能低于预期 | 确认所选工作条件是否与数据表中的条件一致 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,CoolMOS™ C6系列600V功率MOSFET以其出色的性能和广泛的适用性,非常适合需要高效率、紧凑设计的应用场景。其独特的设计不仅使其具备高性能,同时也为用户提供了简单易用的优势。因此,对于追求高性能和高可靠性的电源设计工程师来说,强烈推荐使用CoolMOS™ C6系列MOSFET。

IPA60R160C6XKSA1参数

参数
栅极电荷 75nC@ 10 V
最大功率耗散 34W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.66nF@100V
Id-连续漏极电流 23.8A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 750µA
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ@ 11.3A,10V
长*宽*高 9.83mm(高度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IPA60R160C6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA60R160C6XKSA1数据手册

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IPA60R160C6XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.4605 ¥ 12.8086
100+ $ 1.4224 ¥ 12.4744
150+ $ 1.397 ¥ 12.2517
250+ $ 1.397 ¥ 12.2517
350+ $ 1.3716 ¥ 12.0289
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