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IPD068P03L3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P沟道MOS管, Vds=30 V, 70 A, PG-TO252封装, 表面贴装
供应商型号: REB-TMOS2923
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1概述

    IPD068P03L3 G OptiMOSTM P3 Power-Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    IPD068P03L3 G 是一款采用DPAK封装的单个P沟道功率晶体管,属于Infineon Technologies公司的OptiMOSTM P3系列。这款晶体管适用于电源管理领域,具有高可靠性和广泛的温度适应能力,特别适合在严苛环境中工作。其主要功能是在开关电源、直流电机控制、负载切换等应用中提供可靠的功率转换和控制。

    2. 技术参数


    以下为IPD068P03L3 G的主要技术规格:
    - 连续漏极电流:ID = 149 A (TC=25°C),ID = -280 A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流:ID,pulse = 149 A
    - 雪崩能量:EAS = 70 mJ (ID = -70 A, RGS = 25 Ω)
    - 最大功率耗散:Ptot = 55/175/56 W (TC=25°C)
    - 工作温度范围:Tj, Tstg = -55...175 °C
    - 最高击穿电压:V(BR)DSS = -30 V
    - 最大导通电阻:RDS(on) = 6.8 mΩ (VGS = -10 V, ID = -70 A)
    - 门极阈值电压:VGS(th) = -1.0 ~ -2.0 V
    - 热阻:RthJC = 1.5 K/W, RthJA = 50 K/W (当冷却面积为6 cm²时)

    3. 产品特点和优势


    - 高可靠性:100%雪崩测试保证其在极端条件下的稳定运行。
    - 宽温度范围:-55...175 °C的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境。
    - 无铅、RoHS合规:符合环保标准,不含卤素,确保绿色生产。
    - 快速响应:较低的输入电容和输出电容使得其具备优异的开关特性。
    - 易于驱动:低的门极阈值电压使得该晶体管能够被较低的门极电压驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    IPD068P03L3 G 广泛应用于开关电源、直流电机控制和负载切换等领域。例如,在开关电源中,它可以用作主控开关晶体管,以实现高效的功率转换。在直流电机控制中,它可以用来控制电机的启动、停止和调速。
    使用建议:
    - 在使用过程中,需注意控制好漏极电流和工作温度,避免超过最大额定值。
    - 由于其较低的热阻,散热设计尤为重要,特别是在高功率应用中。
    - 为了提高效率和稳定性,建议使用较小的门极电阻(如5.8 Ω)进行驱动。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品与其他DPAK封装的器件可以互换,易于集成到现有的设计中。
    - Infineon Technologies提供了详尽的技术支持,包括产品手册、应用指南和技术支持热线,帮助用户更好地利用该晶体管。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:工作温度超出规定范围
    - 解决方法:确保系统有足够的散热措施,避免过热。
    - 问题2:雪崩能量不足导致损坏
    - 解决方法:选择适当的外围电路保护措施,确保器件在雪崩条件下不受到损害。
    - 问题3:门极驱动信号不稳定
    - 解决方法:使用合适的门极电阻(如5.8 Ω)并保证门极驱动信号的稳定。

    7. 总结和推荐


    IPD068P03L3 G 作为一款高性能的P沟道功率晶体管,具有优异的可靠性和广泛的应用范围。其优良的电气特性和稳定的性能使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。推荐在需要高可靠性、宽温度范围和高效率的应用中使用此款晶体管。
    通过以上详细的技术参数和应用分析,我们可以看到IPD068P03L3 G 是一个强大且多功能的解决方案,适用于各种严苛的工业应用环境。

IPD068P03L3GATMA1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
栅极电荷 91nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.72nF@15V
最大功率耗散 100W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 70A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 150µA
Id-连续漏极电流 70A
长*宽*高 6.5mm(长度)*6.22mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD068P03L3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD068P03L3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1数据手册

IPD068P03L3GATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.4566 ¥ 4.0039
5000+ $ 0.4446 ¥ 3.8995
7500+ $ 0.4367 ¥ 3.8299
10000+ $ 0.3945 ¥ 3.4594
12500+ $ 0.3735 ¥ 3.2753
库存: 2500
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
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