处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 250µA 180nC@ 10 V 1个N沟道 75V 7.1mΩ@ 80A,10V 80A 4.7nF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: 2839454
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N08S207ATMA1

IPB80N08S207ATMA1概述

    # OptiMOS® IPB80N08S2-07 电子元器件技术手册

    产品简介


    OptiMOS® IPB80N08S2-07 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于汽车电子、工业自动化和电源管理等领域。这款 MOSFET 具备卓越的电气特性和极低的导通电阻,使得它在高效率电源转换应用中表现尤为出色。

    技术参数


    以下是该电子元器件的主要技术参数和技术规格:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V, ID=1mA | - | - | 75V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250µA | 2.1 | 3.0 | 4.0 |
    | 零栅电压漏极电流 | IDS | VDS=75V, VGS=0V, Tj=25°C | - | 0.01 | 1µA |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V, ID=80A | - | 5.8 | 7.4mΩ |
    | 最大工作温度 | TJ, TSTG | -55°C ... +175°C | - | - | - |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDS,PULSE | TC=25°C | - | - | 320A |
    | 额定电流 | ID | TC=25°C, VGS=10V | - | 80A | - |
    | 峰值热阻 | RthJC | - | - | - | 0.5K/W|
    | 热阻抗(结-空气) | RthJA | - | - | - | 62K/W |
    | 反向恢复时间 | trr | VR=40V, IF=IS, diF/dt=100A/us | - | 110 | 140ns |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | VR=40V, IF=IS, diF/dt=100A/us | - | 470 | 590nC |

    产品特点和优势


    OptiMOS® IPB80N08S2-07 的关键特点如下:
    - 汽车级认证:满足 AEC-Q101 标准,适用于高可靠性的汽车电子系统。
    - 超低导通电阻:典型值为 5.8mΩ 至 7.4mΩ,在相同电流下可显著降低损耗。
    - 高可靠性:通过 100% 雪崩测试验证,确保在极端条件下的耐用性。
    - 环境友好:采用无铅环保包装,符合 RoHS 标准。
    - 宽工作温度范围:可在 -55°C 至 +175°C 的极端环境下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    OptiMOS® IPB80N08S2-07 广泛应用于开关电源、电机驱动器、车载充电器等设备。例如,在汽车电子中,可用于高压侧开关或电池管理系统,以实现高效的能量管理和转换。
    使用建议
    为了确保最佳性能,建议在设计电路时充分考虑散热管理。在使用过程中,合理选择 PCB 布局和添加有效的散热措施(如铜箔区域、散热片)可以显著提高系统的稳定性和寿命。

    兼容性和支持


    OptiMOS® IPB80N08S2-07 支持多种封装形式,包括 PG-TO263-3-2、PG-TO220-3-1 和 PG-TO262-3-1。该器件与其他标准元器件具有良好的兼容性,适合用于广泛的电路设计。Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决在设计和使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 高温环境下工作不稳定 | 增加散热片或改进散热设计 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻,优化 PCB 布局 |
    | 导通电阻过高 | 检查 VGS 是否达到阈值,确保合适的驱动信号 |
    | 整体功耗高 | 使用散热器或增加铜箔区域以提高散热效果 |

    总结和推荐


    OptiMOS® IPB80N08S2-07 以其卓越的性能和广泛的应用范围,在电力电子领域展现出了强大的竞争力。特别是在高功率应用中,其低导通电阻和高可靠性使其成为首选产品。结合制造商提供的优质技术支持和完善的文档资源,我们强烈推荐使用这款产品。
    希望这篇综述能为您提供有关 OptiMOS® IPB80N08S2-07 电子元器件的全面信息,如果您有任何进一步的问题或需要技术支持,请随时联系我们。

IPB80N08S207ATMA1参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 7.1mΩ@ 80A,10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 80A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 180nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 75V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 300W(Tc)
配置 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB80N08S207ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N08S207ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N08S207ATMA1 IPB80N08S207ATMA1数据手册

IPB80N08S207ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 24.58
10+ ¥ 22.0237
100+ ¥ 21.6304
500+ ¥ 21.2372
1000+ ¥ 21.2372
库存: 275
起订量: 3 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 24.58
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336