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IPP45P03P4L11AKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 58W(Tc) 5V 2V@ 85µA 55nC@ 10 V 1个P沟道 30V 11.1mΩ@ 45A,10V 45A 3.77nF@25V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*9.25mm
供应商型号: CY-IPP45P03P4L11AKSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP45P03P4L11AKSA1

IPP45P03P4L11AKSA1概述

    IPB45P03P4L-11 电子元器件技术手册

    产品简介


    IPB45P03P4L-11 是一款采用OptiMOS®-P2技术的P通道逻辑电平增强型功率晶体管。该产品主要用于反向电池保护,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费电子等领域。其主要功能是作为开关元件,通过控制其导通状态来实现电流的通断。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 连续漏极电流(ID):TC=25°C时为-45A;TC=100°C时为-42A
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):TC=25°C时为-180A
    - 雪崩能量(EAS):单脉冲电流为-22.5A时,能量为110mJ
    - 雪崩电流(IAS):单脉冲电流为-45A
    - 栅源电压(VGS):+5/-16V
    - 功率耗散(Ptot):TC=25°C时为58W
    - 工作和存储温度范围(Tj, Tstg):-55°C至+175°C
    - 热阻(RthJC):2.6K/W(结至壳体)
    - 零门电压漏极电流(IDSS):VDS=-24V, VGS=0V时,Tj=25°C时为-0.02μA
    - 输出电容(Coss):835pF至1090pF
    - 输入电容(Ciss):2900pF至3770pF
    - 反向转移电容(Crss):21pF至42pF
    - 栅极充电总电量(Qg):42nC至55nC

    产品特点和优势


    IPB45P03P4L-11具备以下独特功能和优势:
    - 高可靠性:通过了AEC认证和100%雪崩测试,确保在极端条件下的稳定运行。
    - 宽温范围:可在-55°C至+175°C的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。
    - 绿色环保:符合RoHS标准,是一款无卤素的绿色产品。
    - 低电阻:在VGS=-10V,ID=-45A时,漏源导通电阻(RDS(on))仅为8.7mΩ至10.8mΩ。
    - 快速响应:开关速度快,可用于高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    IPB45P03P4L-11的主要应用场景包括汽车电子系统中的电源管理、工业自动化设备的逆变器以及消费电子设备中的保护电路。使用建议如下:
    - 在使用该晶体管时,应确保散热措施到位,以避免因过热导致性能下降或损坏。
    - 需要特别注意电路设计中的寄生电容问题,特别是在高速开关状态下,高电容可能导致瞬态过电压。
    - 可以通过优化驱动电路来减少栅极电荷,从而提高整体效率。

    兼容性和支持


    该产品提供了多种封装选项,包括PG-TO263-3-2、PG-TO262-3-1和PG-TO220-3-1,以便于不同应用需求的选择。Infineon Technologies提供详尽的技术支持文档和售后服务,以帮助客户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见的问题及解决方案如下:
    - 问题1:晶体管过热。
    - 解决办法:增加散热片或采用水冷系统来降低热阻。
    - 问题2:驱动电路设计不当导致开关速度慢。
    - 解决办法:选择合适的驱动电阻,并优化驱动电路的设计。
    - 问题3:电路中的噪声干扰大。
    - 解决办法:添加滤波电容或优化PCB布局以减少寄生电感和电容的影响。

    总结和推荐


    总体而言,IPB45P03P4L-11是一款具有高可靠性和宽工作温度范围的P通道逻辑电平增强型功率晶体管,非常适合用于汽车、工业和消费电子领域的电源管理和保护电路。其优异的性能指标和广泛的应用场景使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐在需要高性能功率晶体管的应用中选用此产品。

IPP45P03P4L11AKSA1参数

参数
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.77nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 11.1mΩ@ 45A,10V
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 85µA
最大功率耗散 58W(Tc)
栅极电荷 55nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 45A
长*宽*高 10mm*4.4mm*9.25mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IPP45P03P4L11AKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP45P03P4L11AKSA1数据手册

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IPP45P03P4L11AKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.4975 ¥ 4.2806
300+ $ 0.4929 ¥ 4.2421
500+ $ 0.4883 ¥ 4.2035
1000+ $ 0.4746 ¥ 4.0107
5000+ $ 0.4746 ¥ 4.0107
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