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IPP12CN10LGXKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 2系列, Vds=100 V, 69 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2480857
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP12CN10LGXKSA1

IPP12CN10LGXKSA1概述

    OptiMOS®2 Power-Transistor

    产品简介


    OptiMOS®2 Power-Transistor是一种高性能N沟道逻辑电平功率晶体管,适用于高频开关和同步整流等多种应用。该产品具有出色的性能指标,如低导通电阻和高工作温度,使其在众多电力电子设备中具有广泛的应用前景。

    技术参数


    - 基本特性:
    - N沟道,逻辑电平
    - 出色的栅电荷×导通电阻乘积(FOM)
    - 非常低的导通电阻(最大值为12 mΩ)
    - 工作温度范围:-55°C至175°C
    - 符合RoHS标准,无铅焊接
    - 按照JEDEC标准进行认证
    - 最大额定值:
    - 漏极连续电流(Tc=25°C): 69 A
    - 漏极脉冲电流(Tc=25°C): 276 A
    - 单脉冲雪崩能量(ID=69 A,RG=25 Ω): 150 mJ
    - 栅源电压: ±20 V
    - 功耗(Tc=25°C): 125 W
    - 工作和存储温度: -55°C至175°C
    - 热特性:
    - 结-壳热阻(RthJC): ≤1.2 K/W
    - 结-环境热阻(最小脚印,6cm²散热面积): ≤62 K/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS,VGS=0V,ID=1 mA): 100 V
    - 栅阈值电压(VGS(th),VDS=VGS,ID=83 µA): 1.2 V至2.4 V
    - 栅漏电容(Ciss,典型值): 4210 pF 至 5600 pF
    - 输出电容(Coss,典型值): 528 pF 至 702 pF

    产品特点和优势


    - 非常低的导通电阻:低至11.7 mΩ,有助于减少功耗并提高效率。
    - 宽工作温度范围:从-55°C到175°C,适合各种极端环境下的应用。
    - 优秀的栅电荷×导通电阻乘积(FOM):这使得器件更适合高频应用。
    - 符合RoHS标准:环保设计,满足国际环保要求。
    - 卓越的可靠性:通过JEDEC认证,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 高频开关电源
    - 同步整流电路
    - 工业驱动控制
    - 通信电源系统
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,尤其是在大电流下工作时。
    - 在设计电路时,考虑热阻的影响,选择合适的散热片或PCB布局以提高散热效果。
    - 仔细调整栅极电阻,以实现最佳开关速度和最小损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: OptiMOS®2 Power-Transistor兼容大多数标准电源模块和电路板设计。
    - 支持: Infineon提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过热现象。
    - 解决方案: 检查散热设计,增加散热片或改进PCB布局,确保足够的散热。

    - 问题: 开关时间较长。
    - 解决方案: 调整栅极电阻值,降低寄生电容效应,从而缩短开关时间。

    总结和推荐


    OptiMOS®2 Power-Transistor是一款高性能的N沟道逻辑电平功率晶体管,具备低导通电阻、宽工作温度范围和优秀的栅电荷×导通电阻乘积。其卓越的性能使其在高频开关和同步整流应用中表现出色。推荐在工业驱动、通信电源系统及各种需要高可靠性和高效率的场合使用。

IPP12CN10LGXKSA1参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.6nF@50V
栅极电荷 58nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 83µA
最大功率耗散 125W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 69A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 69A
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP12CN10LGXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP12CN10LGXKSA1数据手册

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IPP12CN10LGXKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 10.1876
10+ ¥ 8.2602
100+ ¥ 7.5719
500+ ¥ 7.5719
1000+ ¥ 7.4342
5000+ ¥ 7.4342
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