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IPB80P03P4L04ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 137W(Tc) 5V,16V 2V@ 253µA 160nC@ 10 V 1个P沟道 30V 4.1mΩ@ 80A,10V 80A 11.3nF@25V TO-263 贴片安装
供应商型号: 2781074
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80P03P4L04ATMA1

IPB80P03P4L04ATMA1概述

    电子元器件产品技术手册:IPB80P03P4L-04(OptiMOS®-P2 Power-Transistor)

    1. 产品简介


    IPB80P03P4L-04 是一款 P 通道增强型功率晶体管,属于 Infineon Technologies 的 OptiMOS®-P2 系列。这款晶体管特别适用于反向电池保护电路。产品系列包括多种封装形式,包括 PG-TO263-3-2(IPB80P03P4L-04)、PG-TO262-3-1(IPI80P03P4L-04)和 PG-TO220-3-1(IPP80P03P4L-04)。这些产品广泛应用于汽车、工业控制、电源管理和通信系统等领域。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流:\( ID \)
    - \( TC = 25°C \), \( V{GS} = -10V \): -80 A
    - \( TC = 100°C \), \( V{GS} = -10V \): -80 A
    - 脉冲漏极电流:\( I{D,\text{pulse}} \)
    - \( TC = 25°C \): -320 A
    - 雪崩能量,单脉冲:\( E{AS} \)
    - \( ID = -40A \): 410 mJ
    - 雪崩电流,单脉冲:\( I{AS} \)
    - \( - \): -80 A
    - 栅源电压:\( V{GS} \)
    - \( +5/-16 \) V
    - 总功耗:\( P{tot} \)
    - \( TC = 25 °C \): 137 W
    - 工作和存储温度范围:\( Tj \), \( T{stg} \)
    - \( -55 ... +175 °C \)

    3. 产品特点和优势


    - 逻辑电平增强模式:能够实现低栅极驱动电压下的高效运行。
    - 符合 AEC 标准:适用于汽车应用。
    - 湿热等级1:最高回流焊温度可达260°C。
    - 高温耐受:可承受高达175°C的工作温度。
    - 无铅环保:符合 RoHS 标准。
    - 完全雪崩测试:确保高可靠性。
    - 专门用于反向电池保护:在汽车应用中特别有用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 反向电池保护电路:确保在错误接线时保护电路免受损坏。
    - 工业自动化控制系统:在电机驱动电路中提供高效能的开关功能。

    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保有足够的散热措施,以防止温度过高导致损坏。
    - 使用合适的驱动电路,确保栅极电压在安全范围内,避免过度驱动造成损伤。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该晶体管与其他标准电源管理和控制设备具有良好的兼容性,适用于各种电路设计。
    - 支持和服务:Infineon Technologies 提供详尽的技术支持和维护服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询服务。用户可以通过官网联系最近的 Infineon 办事处获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过载电流导致器件损坏。
    - 解决方案:确保设计中有合适的过载保护机制,例如保险丝或限流电阻。
    - 问题:温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加散热片或采用外部冷却装置,确保器件工作温度在安全范围内。
    - 问题:栅极驱动电压不稳定。
    - 解决方案:使用稳定的电源和合适的栅极驱动电路,确保栅极电压稳定。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IPB80P03P4L-04 以其卓越的性能、可靠性和广泛的适用范围成为一种优秀的 P 通道增强型功率晶体管。其独特功能和优势使其在多种应用场景中表现出色。我们强烈推荐在需要高性能和高可靠性的场合使用该产品。通过Infineon Technologies 提供的支持和服务,用户可以轻松应对可能遇到的各种挑战,确保系统的稳定运行。

IPB80P03P4L04ATMA1参数

参数
最大功率耗散 137W(Tc)
FET类型 1个P沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 5V,16V
Id-连续漏极电流 80A
栅极电荷 160nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.1mΩ@ 80A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.3nF@25V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 253µA
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,卷带包装

IPB80P03P4L04ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80P03P4L04ATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80P03P4L04ATMA1 IPB80P03P4L04ATMA1数据手册

IPB80P03P4L04ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 14.3405
10+ ¥ 10.8523
100+ ¥ 10.8523
250+ ¥ 10.6585
500+ ¥ 10.6585
1000+ ¥ 10.6585
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