处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP80N06S207AKSA4

IPP80N06S207AKSA4

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 80 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2172568
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP80N06S207AKSA4

IPP80N06S207AKSA4概述

    IPB80N06S2-07, IPP80N06S2-07, IPI80N06S2-07: OptiMOS® Power-Transistor

    1. 产品简介


    IPB80N06S2-07、IPP80N06S2-07 和 IPI80N06S2-07 是由 Infineon Technologies 制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。它们广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。这些器件以其卓越的电气特性和可靠性而著称,是高效能电路设计的理想选择。

    2. 技术参数


    这些功率 MOSFET 的技术规格如下:
    - 连续漏极电流:80 A(TC=25°C,VGS=10 V)
    - 脉冲漏极电流:320 A
    - 雪崩能量:530 mJ
    - 栅源电压:±20 V
    - 最大功率耗散:250 W
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 热阻抗:RthJC (Junction to Case) 为 0.6 K/W,RthJA (Junction to Ambient) 为 62 K/W
    - 最大漏源电压:55 V
    - 最大漏源导通电阻:6.3 mΩ
    - 反向恢复时间:55 至 70 ns
    - 输入电容:3400 pF
    - 输出电容:880 pF
    - 反向传输电容:215 pF

    3. 产品特点和优势


    这些 OptiMOS® 功率 MOSFET 具有以下显著优势:
    - 高可靠性:通过汽车级 AEC-Q101 认证,确保长期稳定运行。
    - 超低 Rds(on):5.3 mΩ (SMD 版本),减少功耗,提高效率。
    - 环境友好:无铅封装,符合绿色标准。
    - 超宽工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适用于恶劣环境。
    - 超短反向恢复时间:优化开关性能,减少能耗。

    4. 应用案例和使用建议


    这些器件在多种应用场景中表现出色:
    - 电动汽车:电池管理系统、电机驱动器等。
    - 工业自动化:伺服驱动器、变频器等。
    - 电源转换:开关电源、直流/直流转换器等。
    使用建议:
    - 在高频应用中,注意 PCB 设计以减小寄生电感。
    - 在高温环境下,确保良好的散热措施,以保持低 Rds(on) 值。

    5. 兼容性和支持


    这些器件具有良好的兼容性,可以与多种控制器和其他电源管理芯片配合使用。Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、设计工具和在线支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何计算功率耗散?
    - 解决方案:利用公式 \( P{tot} = f(TC) \) 进行计算,其中 \( TC \) 是环境温度。

    - 问题:如何改善开关性能?
    - 解决方案:减小寄生电感,优化 PCB 布局,选择合适的驱动电路。

    7. 总结和推荐


    综合来看,IPB80N06S2-07、IPP80N06S2-07 和 IPI80N06S2-07 是非常出色的 N 沟道增强型功率 MOSFET。其超低 Rds(on)、高可靠性和宽工作温度范围使其在各种严苛的应用环境中表现出色。强烈推荐这些器件用于需要高性能和高可靠性的电路设计中。

IPP80N06S207AKSA4参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 180µA
通道数量 1
栅极电荷 110nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.6mΩ@ 68A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 80A
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 55V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.4nF@25V
最大功率耗散 250W(Tc)
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPP80N06S207AKSA4厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP80N06S207AKSA4数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP80N06S207AKSA4 IPP80N06S207AKSA4数据手册

IPP80N06S207AKSA4封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 25.5648
20+ ¥ 19.4415
30+ ¥ 18.8579
库存: 421
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 255.64
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504