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AUIRFR2307Z

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 110W(Tc) 20V 4V@ 100µA 75nC@ 10 V 1个N沟道 75V 16mΩ@ 32A,10V 53A 2.19nF@25V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: AUIRFR2307Z-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) AUIRFR2307Z

AUIRFR2307Z概述

    AUIRFR2307Z HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    AUIRFR2307Z 是一种专为汽车应用设计的高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该产品利用先进的工艺技术,实现了超低导通电阻和高可靠性的组合。适用于多种电路应用,特别是在需要高温度耐受性和快速开关的应用场景中表现出色。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - VDSS:75V
    - RDS(on)(最大):16mΩ
    - ID(硅限制):53A
    - ID(封装限制):42A
    - IDM(脉冲漏极电流):210A
    - PD(最大功耗):110W
    - VGS(栅源电压):±20V
    - EAS(单脉冲雪崩能量):140mJ
    - TJ(工作结温):-55°C 至 +175°C
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 +175°C
    - 电气特性:
    - 静态参数(TJ = 25°C):
    - V(BR)DSS:75V
    - RDS(on):12.8mΩ 至 16mΩ
    - VGS(th):2.0V 至 4.0V
    - gfs:30S
    - IDSS:25μA
    - 动态参数(TJ = 25°C):
    - Qg(总栅极电荷):50nC 至 75nC
    - Qgd(栅极到漏极电荷):19nC
    - td(on)(导通延迟时间):16ns
    - tr(上升时间):65ns
    - td(off)(关断延迟时间):44ns
    - tf(下降时间):29ns

    产品特点和优势


    AUIRFR2307Z 的主要特点包括:
    - 先进的工艺技术:采用最新的工艺技术制造,确保卓越的性能和可靠性。
    - 超低导通电阻:RDS(on) 最大为 16mΩ,有效降低功耗并提高效率。
    - 高温耐受性:工作温度高达 175°C,适用于恶劣环境。
    - 快速开关速度:支持快速的开关操作,减少能量损失。
    - 重复雪崩允许:支持重复雪崩模式下的操作,提高应用灵活性。
    - 无铅,符合 RoHS 标准:环保材料,符合行业标准。
    - 汽车级认证:通过 AEC-Q101 认证,适用于汽车应用。

    应用案例和使用建议


    AUIRFR2307Z 适合多种应用场景,例如:
    - 电动汽车充电系统:由于其高耐热性和快速开关特性,适用于高压直流(HVDC)系统。
    - 工业自动化设备:适用于电机驱动和电源转换电路。
    - 通信基础设施:用于电信设备的电源管理单元。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动器时,需注意其驱动能力和功耗。
    - 确保电路设计能够有效地散热,以避免过热。
    - 在重复雪崩操作下,务必监控结温,以确保不超过最大允许值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:AUIRFR2307Z 与其他标准栅极驱动器和电源管理 IC 兼容。
    - 支持:Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够充分发挥产品的潜力。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:如何避免因温度过高导致的故障?
    - 解决方法:确保良好的散热设计,并监控结温。必要时可添加散热片或使用液体冷却系统。
    - 问题 2:如何进行正确的栅极驱动?
    - 解决方法:选择合适的栅极驱动器,确保驱动能力足以满足 MOSFET 的要求,并且驱动波形符合规范。

    总结和推荐


    AUIRFR2307Z 是一款高度可靠的高性能功率 MOSFET,具备诸多优势,如超低导通电阻、快速开关能力和高温度耐受性。其独特的汽车级认证和先进的工艺技术使其成为汽车和工业应用的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐用户在需要高效、可靠电力控制的场合使用 AUIRFR2307Z。

AUIRFR2307Z参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 100µA
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 32A,10V
Id-连续漏极电流 53A
最大功率耗散 110W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 75V
栅极电荷 75nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.19nF@25V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 管装

AUIRFR2307Z厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

AUIRFR2307Z数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFR2307Z AUIRFR2307Z数据手册

AUIRFR2307Z封装设计

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