处理中...

首页  >  产品百科  >  JANTX2N7237

JANTX2N7237

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W 20V 60nC(Max) @ 10V 1个P沟道 200V 520mΩ@ 10V 11A 1.2nF@ 25V TO-254-AA 通孔安装 13.84mm*6.6mm*13.84mm
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N7237

JANTX2N7237概述


    产品简介


    IRFM9240 是一款由国际整流器公司(International Rectifier)生产的高性能 P 沟道 HEXFET® 功率 MOSFET 器件,专为高效率、大功率的应用设计。该产品广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器等领域,尤其适合需要高可靠性的工业和消费电子应用。IRFM9240 的核心是 HEXFET® 技术,这种技术能够实现极低的导通电阻(RDS(on)),同时具备优异的温度稳定性、快速开关性能及易并联性。

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 漏极连续电流 (VGS = -10V) | A | -11 | -7.0 TC = 25°C 和 TC = 100°C |
    | 脉冲漏极电流 | A -44 | IDM |
    | 最大耗散功率 | W 125 TC = 25°C |
    | 热阻 J-C | °C/W 1.0
    | 热阻 C-S | °C/W 0.21
    | 热阻 J-A | °C/W 48
    | 栅源电压 | V | ±20 |
    | 反向恢复时间 | ns 440 Tj = 25°C, IF = -11A |
    | 反向恢复电荷 | µC 7.2 VDD ≤ -50V |
    其他关键参数还包括导通电阻 (RDS(on)) = 0.51Ω (VGS = -10V, ID = -7.0A),栅阈值电压 (VGS(th)) = -2.0 至 -4.0V,以及输入电容 (Ciss) = 1200pF (VGS = 0V, VDS = -25V)。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)):0.51Ω 的典型值确保高效的电力传输,适用于高功率应用场景。
    2. 快速开关性能:优秀的动态 dv/dt 评级支持快速开关操作,减少开关损耗。
    3. 高可靠性:采用全隔离封装设计,消除了额外隔离材料的需求,提高了热效率。
    4. 易于并联:栅极驱动要求简单,非常适合需要并联器件的应用。
    5. 增强散热性能:低热阻设计使器件能够在高温环境下保持稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFM9240 广泛应用于电机控制、逆变器和开关电源等场景。例如,在电机控制中,其快速开关特性和低导通电阻有助于提高能效和降低发热。
    使用建议
    1. 散热管理:确保适当的散热措施,避免因过热导致的性能下降或损坏。
    2. 驱动电路设计:优化栅极驱动电路,以充分利用快速开关特性。
    3. 并联操作:在并联多颗器件时,需注意均衡电流分布,必要时添加均流电阻。

    兼容性和支持


    IRFM9240 与其他主流电子元器件具有良好的兼容性,可无缝集成到现有系统中。国际整流器公司提供全面的技术支持和售后服务,包括 Spice 和 Saber 模型下载,帮助客户加速开发进程。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,如增加散热片或风扇 |
    | 开关速度慢 | 优化驱动电路,减小栅极电容 |
    | 导通电阻过高 | 检查工作温度是否超出正常范围 |

    总结和推荐


    IRFM9240 是一款高性能的 P 沟道 HEXFET® 功率 MOSFET,以其卓越的导通电阻、快速开关能力和高可靠性脱颖而出。对于需要高效率和稳定性的工业和消费电子产品来说,它是理想的选择。我们强烈推荐将 IRFM9240 用于各种高功率应用中,尤其是在空间受限且对热管理有较高要求的环境中。

    通过本文的深入解析,读者可以充分了解 IRFM9240 的技术细节及其在实际应用中的表现,帮助他们在选择合适的电子元器件时做出明智的决策。

JANTX2N7237参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 520mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 60nC(Max) @ 10V
Vds-漏源极击穿电压 200V
配置 独立式
最大功率耗散 125W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.2nF@ 25V
Id-连续漏极电流 11A
FET类型 1个P沟道
长*宽*高 13.84mm*6.6mm*13.84mm
通用封装 TO-254-AA
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

JANTX2N7237厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N7237数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES JANTX2N7237 JANTX2N7237数据手册

JANTX2N7237封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 0 增量: 0
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504