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IAUTN12S5N018TATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 120V 309A 贴片安装
供应商型号: 4216475
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IAUTN12S5N018TATMA1

IAUTN12S5N018TATMA1概述

    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET, 120 V IAUTN12S5N018T

    产品简介


    OptiMOS™ 5 汽车级功率 MOSFET 是一款专为汽车应用设计的 N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它具备非常低的导通电阻(RDS(on))以及出色的电气特性,能够满足各种严苛的汽车应用需求。该产品通过了 AEC-Q101 标准认证,确保其在极端环境下依然可靠稳定。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大连续漏极电流:309 A
    - 导通电阻:1.8 mΩ (VGS=10V, ID=100A)
    - 栅源电压范围:2.6 V 至 3.6 V
    - 栅源漏电流:最大 100 nA
    - 雪崩能量:单脉冲 358 mJ (ID=150 A)
    - 反向恢复电荷:68 nC
    - 工作温度范围:-55 °C 至 +175 °C
    - 无铅、符合 RoHS 标准
    - 热特性
    - 结-壳热阻:最小 0.42 K/W(顶部)
    - 结-环境热阻:最大 1150 K/W(自然对流)
    - 动态特性
    - 输入电容:最大 10740 pF
    - 输出电容:最大 3080 pF
    - 逆向传输电容:最大 68 pF
    - 开启延时时间:最大 28 ns
    - 关闭延时时间:最大 45 ns

    产品特点和优势


    OptiMOS™ 5 MOSFET 具备以下独特优势:
    1. 超低导通电阻:RDS(on) 最低可达 1.8 mΩ,确保高效能、低损耗。
    2. 高可靠性:支持高达 175°C 的工作温度,以及通过 AEC-Q101 认证,确保产品在汽车应用中的长期稳定性。
    3. 快速开关:具有极短的开启和关闭延时时间,有效降低开关损耗。
    4. 低反向恢复电荷:Qrr 最大仅为 68 nC,减少开关过程中产生的瞬态损耗。
    5. 增强的电气测试:提供全面的电气特性测试,确保每一颗芯片的质量。

    应用案例和使用建议


    潜在应用:
    - 通用汽车应用
    - 电机驱动
    - DC-DC 转换器
    - LED 照明控制
    - 蓄电池充电电路
    使用建议:
    1. 选择合适的驱动电路:为 OptiMOS™ 5 MOSFET 选择适当的栅极驱动电路,以确保在高频开关应用中达到最佳性能。
    2. 散热管理:由于其低热阻特性,应合理设计散热系统,以避免过热问题。
    3. 布线优化:在 PCB 布局上,尽量缩短栅极引线长度,减少寄生电感,从而提高开关速度和效率。

    兼容性和支持


    OptiMOS™ 5 MOSFET 与市场上主流的汽车电子控制系统兼容,适合用于多种汽车应用场合。厂商提供了详尽的技术支持,包括样品申请、技术文档及售后服务,确保客户在使用过程中获得全方位的支持。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何测量导通电阻?
    解决方案: 使用万用表测量在规定的栅极电压(如 VGS=10V)下的漏极电流和相应的漏源电压,根据公式 RDS(on) = VDS / ID 计算得出。
    问题2:如何正确处理栅极电压?
    解决方案: 在使用过程中,务必确保栅极电压不超过器件的最大额定值,避免栅极过压导致器件损坏。建议使用专用的栅极驱动电路,以实现安全可靠的控制。

    总结和推荐


    OptiMOS™ 5 MOSFET 是一款高性能、高可靠性的汽车级功率 MOSFET,适用于各种严苛的汽车应用。其卓越的电气特性和强大的抗恶劣环境能力使其在市场上具有明显的优势。推荐在汽车电子控制系统、电机驱动等领域广泛使用,尤其适合需要高效能、低损耗的应用场合。

IAUTN12S5N018TATMA1参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 309A
Vds-漏源极击穿电压 120V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IAUTN12S5N018TATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IAUTN12S5N018TATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IAUTN12S5N018TATMA1 IAUTN12S5N018TATMA1数据手册

IAUTN12S5N018TATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 34.8744
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1000+ ¥ 34.8744
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