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IRFP4310ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 134 A, TO-247AC封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 26M-IRFP4310ZPBF
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFP4310ZPBF

IRFP4310ZPBF概述


    产品简介


    IRFP4310ZPbF 是一款高性能的 HEXFET 功率 MOSFET(场效应晶体管),由国际整流器公司(Infineon Technologies)推出。该产品专为高效率应用设计,其主要功能包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性。它适用于多种现代电力电子系统,例如开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)以及高频硬开关电路。
    IRFP4310ZPbF 提供了卓越的栅极、雪崩和动态 dv/dt 的鲁棒性,并具有出色的电容特性与雪崩安全工作区(SOA)。此外,其增强型体二极管提供了更快的 dV/dt 和 dI/dt 能力,确保在高频率应用中的可靠表现。产品采用无铅封装,符合环保标准。

    技术参数


    以下是 IRFP4310ZPbF 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压(V(BR)DSS) | 100 V |
    | 静态导通电阻(RDS(on)) 4.8 | 6.0 | mΩ |
    | 栅极阈值电压(VGS(th)) | 2.0 4.0 | V |
    | 栅极漏电流(IGSS) 100 | nA |
    | 栅极电荷(Qg) 120 | 170 | nC |
    | 输入电容(Ciss) 6860 pF |
    | 输出电容(Coss) 490
    | 反向传输电容(Crss) 220
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) 570 | mJ |
    | 结点到外壳热阻(RθJC) 0.54 °C/W |

    产品特点和优势


    IRFP4310ZPbF 的显著特点和优势包括:
    1. 高性能导通电阻:典型值为 4.8mΩ,提供高效能电流处理能力。
    2. 鲁棒性设计:具备优秀的栅极、雪崩及 dv/dt 鲁棒性,适应极端工作条件。
    3. 快速开关特性:具备极低的开关损耗,适合高频应用。
    4. 环保合规:无铅封装,满足现代电子产品环保要求。
    5. 广泛适用性:适用于多个领域,如 SMPS、UPS、高速功率开关等。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFP4310ZPbF 已被广泛应用于多种电力电子系统中,例如:
    - 开关模式电源(SMPS):利用其低导通电阻和快速开关性能,提升整体转换效率。
    - 不间断电源(UPS):提供可靠的功率切换和保护功能。
    - 高频硬开关电路:应对高频和恶劣工作环境的需求。
    使用建议
    1. 在选择驱动电路时,确保驱动电压范围适配其 VGS(th),避免过高的驱动电压损坏器件。
    2. 对于需要长时间运行的应用,注意热管理,确保结温不超过允许范围。
    3. 在并联多颗器件时,应尽量匹配其导通电阻以保持均匀分布负载。

    兼容性和支持


    IRFP4310ZPbF 与其他常见电子元件高度兼容,可直接替换同规格产品。Infineon Technologies 提供详尽的技术支持文档,涵盖设计指南、可靠性测试和应用说明。客户可通过其官方网站下载相关资源,并获得专业的技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方案:
    1. 问题:导通电阻偏高
    - 原因:工作温度过高。
    - 解决办法:优化散热设计,确保良好的热管理。
    2. 问题:器件发热严重
    - 原因:电流过大或驱动不当。
    - 解决办法:降低电流密度,调整驱动电路参数。
    3. 问题:雪崩现象导致失效
    - 原因:重复工作在雪崩条件下。
    - 解决办法:避免超过额定雪崩能量,严格遵循应用规范。

    总结和推荐


    综上所述,IRFP4310ZPbF 是一款性能优异且用途广泛的功率 MOSFET。它凭借其低导通电阻、快速开关速度和出色的可靠性,在多个电力电子领域展现出强大的竞争力。对于需要高效率和高可靠性应用的设计工程师来说,这款产品是理想的选择。
    推荐指数:⭐⭐⭐⭐⭐
    无论是作为传统 SMPS 系统的升级替代品,还是在新兴高频电路中的核心组件,IRFP4310ZPbF 都表现出色,值得推荐使用。

IRFP4310ZPBF参数

参数
最大功率耗散 280W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.86nF@50V
Id-连续漏极电流 120A
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 170nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 75A,10V
配置 独立式双drain
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA
通道数量 1
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
24.99mm(Max)
通用封装 TO-247AC
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IRFP4310ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFP4310ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF数据手册

IRFP4310ZPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 13.2604
10+ ¥ 12.629
50+ ¥ 11.7004
100+ ¥ 10.6083
500+ ¥ 10.0712
1000+ ¥ 9.4717
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