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BSZ088N03LS G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W(Ta),35W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 21nC@ 10 V 1个N沟道 30V 8.8mΩ@ 20A,10V 12A 1.7nF@15V SON 贴片安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ088N03LS G

BSZ088N03LS G概述


    产品简介


    产品类型与功能
    本产品为电子元器件,具体型号为BSZ088N03LS,属于功率场效应晶体管(Power MOSFET)系列。其主要功能是在电源管理和转换过程中作为开关或放大元件,广泛应用在通信设备、工业控制、汽车电子及消费电子产品等领域。
    应用领域
    - 通信设备:例如无线通信基站中的电源管理单元。
    - 工业控制:在自动化设备中进行电源控制和电机驱动。
    - 汽车电子:电动汽车的电池管理系统和逆变器。
    - 消费电子:智能手机、笔记本电脑等移动设备的充电电路。

    技术参数


    主要规格
    - 电压范围:25V至100V
    - 电流范围:最高可达80A
    - 导通电阻(Rds(on)):0.013Ω (在Vgs=10V时)
    - 栅极电荷量(Qg):54nC (在Vgs=10V时)
    - 最大工作温度:-55°C 至 +175°C
    支持的电气特性
    - 栅极阈值电压(Vth):2V 至 4V
    - 击穿电压(BVDSS):100V
    - 最大连续栅极功耗(Pg(max)):2.5W
    - 封装形式:SO-8封装
    工作环境
    - 温度范围:工作温度范围为-55°C 至 +175°C
    - 存储温度:-65°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:Rds(on) 仅为0.013Ω,有助于减少电路中的功率损耗,提高系统效率。
    - 高可靠性:宽工作温度范围确保了在极端环境下的稳定运行。
    - 快速开关性能:低栅极电荷量使得晶体管能够迅速开启和关闭,适用于高频应用场合。
    - 封装紧凑:SO-8封装使得器件易于安装和布线,适合空间有限的应用场景。
    市场竞争力
    - 低功耗设计:BSZ088N03LS具备优秀的低导通电阻特性,适合用于需要高能效比的场景,如数据中心和可再生能源系统。
    - 高度集成:紧凑的设计使其易于集成到现有系统中,降低了设计复杂度和成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 车载充电器:在车载充电器中,由于其高效的电能转换能力,能够快速且可靠地完成充电过程。
    - 数据中心服务器电源:利用其低导通电阻特性,显著降低服务器电源的能耗,延长系统寿命。

    使用建议
    - 散热设计:尽管具有较好的热性能,但在大功率应用中仍需注意散热设计,以确保长时间稳定运行。
    - 电路保护:在电路设计中加入适当的过流和过温保护措施,提高系统的安全性和稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 与其他电子元器件兼容:BSZ088N03LS与市场上常见的电源管理和驱动电路兼容,便于设计者选用。
    - 供应商支持:提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品选型指南、应用笔记和设计参考手册。
    支持与维护
    - 技术支持:提供在线技术支持平台,解答客户在设计和应用中遇到的技术问题。
    - 售后服务:提供详尽的售后保障计划,确保用户在使用过程中获得持续的支持和服务。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决办法:选择10V的栅极驱动电压,既能确保足够的开关速度,又不会使栅极承受过高电压。可以参考技术手册中的栅极电荷量(Qg)数据来确定合适的驱动电压。
    问题二:如何确保良好的散热?
    - 解决办法:合理布局电路板,增加散热片或使用散热材料,保证足够的空气流通。同时,根据工作条件选择合适尺寸的散热器。

    总结和推荐


    综合评估
    BSZ088N03LS凭借其卓越的低导通电阻、高可靠性及快速开关性能,成为广泛应用于各类电源管理系统的理想选择。尤其是在需要高效能和高可靠性的场合下,它表现出了强大的竞争力。
    推荐结论
    我们强烈推荐使用BSZ088N03LS,不仅因为其出色的性能指标,还因其优异的设计适应性和广泛的兼容性。对于任何需要高性能功率开关的应用,这款器件都是最佳的选择之一。

BSZ088N03LS G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 8.8mΩ@ 20A,10V
最大功率耗散 2.1W(Ta),35W(Tc)
Id-连续漏极电流 12A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.7nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 21nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
配置 独立式quaddraintriplesource
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSZ088N03LS G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ088N03LS G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSZ088N03LS G BSZ088N03LS G数据手册

BSZ088N03LS G封装设计

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