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IPB200N25N3GATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=250 V, 64 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: IPB200N25N3GATMA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 2
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1概述

    IPB200N25N3 G OptiMOSTM3 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPB200N25N3 G OptiMOSTM3是一款高性能的N沟道功率晶体管,主要应用于高频开关和同步整流电路中。它具有出色的栅极电荷乘以导通电阻(FOM)产品和极低的导通电阻,非常适合用于要求高效能转换的应用场合。此外,该产品符合RoHS标准,采用无铅电镀,并且不含卤素。

    2. 技术参数


    - 连续漏极电流: \( ID \) @ \( TC = 25^\circ C \) 时为64A,@ \( TC = 100^\circ C \) 时为50A。
    - 脉冲漏极电流: \( I{D,\text{pulse}} \) @ \( TC = 25^\circ C \) 时为256A。
    - 雪崩能量: 单脉冲雪崩能量\( E{AS} \) @ \( ID = 47 \text{A}, R{GS} = 25\Omega \) 时为320mJ。
    - 栅源电压: \( V{GS} \) 为±20V。
    - 最大功耗: \( P{tot} \) @ \( TC = 25^\circ C \) 时为300W。
    - 工作和存储温度范围: \( TJ, T{stg} \) 为-55至175℃。
    - 热阻: 结壳热阻\( R{thJC} \)为0.5 K/W,结到环境热阻最小值为62 K/W(对于最小散热面积6cm²)。
    - 断态漏源电压: \( V{(BR)DSS} \) @ \( V{GS} = 0V, ID = 1mA \) 时为250V。
    - 零栅电压漏极电流: \( I{DSS} \) @ \( V{DS} = 200V, V{GS} = 0V, TJ = 25^\circ C \) 时为0.1至1μA,@ \( V{DS} = 200V, V{GS} = 0V, TJ = 125^\circ C \) 时为10至100μA。
    - 栅源漏电流: \( I{GSS} \) @ \( V{GS} = 20V, V{DS} = 0V \) 时为1至100nA。
    - 导通电阻: \( R{DS(on)} \) @ \( V{GS} = 10V, ID = 64A \) 时为17.5至20mΩ。

    3. 产品特点和优势


    - 优秀的FOM指标: 该产品的FOM指标非常出色,适合于高频开关应用。
    - 极低的导通电阻: 导通电阻仅为17.5至20mΩ,保证了高效的电力转换。
    - 宽工作温度范围: 该产品能够在-55至175℃的极端温度范围内稳定工作。
    - 环保材料: 符合RoHS标准,无铅电镀,不含卤素,满足现代环保需求。
    - JEDEC认证: 经过JEDEC认证,适用于目标应用。
    - 同步整流和高频开关的理想选择: 非常适合高频开关和同步整流电路,如逆变器、DC-DC转换器等。

    4. 应用案例和使用建议


    - 高频开关应用: 可用于高频电源转换器,如光伏逆变器和不间断电源系统。
    - 同步整流: 在高效率同步整流应用中表现出色,如电动汽车充电器和LED驱动器。
    - 使用建议: 建议在设计电路时考虑散热问题,确保良好的散热条件,避免因过热导致器件失效。同时,合理选择外部栅极电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 封装兼容性: 有三种不同的封装形式,包括PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-TO262-3,方便不同应用场景的选择。
    - 厂商支持: Infineon Technologies提供详细的技术文档和支持服务,包括产品手册、应用指南和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过大。
    - 解决方案: 调整外部栅极电阻,优化开关时间。
    - 问题2: 温度过高。
    - 解决方案: 确保良好的散热条件,可以增加散热片或者选择更高效的散热方式。
    - 问题3: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查外部电路,尤其是栅极电路,确保信号质量。

    7. 总结和推荐


    IPB200N25N3 G OptiMOSTM3是一款卓越的N沟道功率晶体管,适用于高频开关和同步整流应用。其出色的FOM指标和极低的导通电阻使其成为高效电力转换的理想选择。宽泛的工作温度范围和环保材料使其成为工业应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能功率管理解决方案的设计工程师。

IPB200N25N3GATMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 64A,10V
最大功率耗散 300W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
Id-连续漏极电流 64A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 250V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.1nF@100V
栅极电荷 86nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB200N25N3GATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB200N25N3GATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB200N25N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1数据手册

IPB200N25N3GATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2+ ¥ 55.784
250+ ¥ 54.1115
500+ ¥ 52.4894
1000+ ¥ 29.1209
5000+ ¥ 28.538
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