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IRFR3704TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 90W(Tc) 20V 3V@ 250µA 19nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 9.5mΩ@ 15A,10V 62A 1.996nF@10V DPAK,TO-252AA 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IRFR3704PBFTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFR3704TRPBF

IRFR3704TRPBF概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本产品是IR公司推出的IRFR3704PbF和IRFU3704PbF型号的SMPS MOSFET(高压功率MOSFET),也被称为HEXFET。该系列MOSFET的主要特点是超低导通电阻(RDS(on))、非常低的栅极阻抗和完全表征的雪崩电压及电流。它们适用于高频率DC-DC隔离转换器、电信和工业设备中的同步整流电路。同时,这些MOSFET具有100%的RG测试和无铅设计,符合环保标准。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - VDSS(漏源电压):20V
    - RDS(on)(导通电阻):9.5mΩ
    - 连续漏极电流ID:75A(VGS@10V)
    - 绝对最大额定值:
    - VDS(漏源电压):20V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - IDM(脉冲漏极电流):300A
    - PD(最大耗散功率):20W(Tc=25°C),12W(Ta=70°C)
    - 热阻RθJC:1.7°C/W
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 动态参数:
    - 转导电导率(gfs):42S
    - 总栅极电荷(Qg):19nC
    - 上升时间(tr):98ns
    - 下降时间(tf):5.0ns
    - 输入电容(Ciss):1996pF
    - 输出电容(Coss):1085pF
    - 反向转移电容(Crss):155pF

    产品特点和优势


    - 超低RDS(on):在漏源电压为10V时,RDS(on)仅为9.5mΩ,这使得该MOSFET非常适合高效率的应用场合。
    - 非常低的栅极阻抗:栅极阻抗小于等于3.2Ω,这使得驱动电路的设计更加简单。
    - 完全表征的雪崩电压及电流:确保了在极端工作条件下的可靠性和耐用性。

    应用案例和使用建议


    - 高频率DC-DC转换器:由于其出色的开关特性和低损耗,这些MOSFET非常适合用于计算机处理器电源中的高频率DC-DC转换器。
    - 电信设备中的同步整流电路:利用其高频率和高效率的特点,可提高系统的整体效率和可靠性。
    使用建议:
    - 确保PCB上预留足够的散热面积以避免过热。
    - 在高电流工作环境下,需要考虑散热片或冷却系统来保证MOSFET的稳定运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些MOSFET设计为D-Pak和I-Pak封装形式,广泛兼容于各种PCB板设计。
    - 支持:制造商提供了详细的安装指南和焊料焊接技术说明(见应用笔记#AN-994)。此外,还提供技术支持和客户服务以解答用户疑问。

    常见问题与解决方案


    - 问题:无法达到指定的RDS(on)值
    - 解决方案:检查是否按照推荐的封装和焊接技术进行安装。此外,确保使用适当的栅极驱动电路,避免栅极电压过低导致导通电阻增大。

    - 问题:出现过高的功率耗散
    - 解决方案:通过增加散热片或者采用更高效的散热方法来降低工作温度,如液体冷却或强制风冷。

    总结和推荐


    总体来说,IRFR3704PbF和IRFU3704PbF是高性能的SMPS MOSFET,具有优秀的电气特性和广泛应用场景。如果您的项目需要高效率、高频率的应用,且重视紧凑型设计和良好的散热性能,那么这些MOSFET将是理想的选择。强烈推荐在相关项目中使用这些产品。

IRFR3704TRPBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.996nF@10V
栅极电荷 19nC@ 4.5 V
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 62A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 15A,10V
最大功率耗散 90W(Tc)
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 DPAK,TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRFR3704TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFR3704TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFR3704TRPBF IRFR3704TRPBF数据手册

IRFR3704TRPBF封装设计

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