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IPI200N25N3GAKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W(Tc) 20V 4V@ 270µA 86nC@ 10 V 1个N沟道 250V 20mΩ@ 64A,10V 64A 7.1nF@100V TO-262-3 通孔安装
供应商型号: CY-IPI200N25N3GAKSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPI200N25N3GAKSA1

IPI200N25N3GAKSA1概述

    IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G 电子元器件产品技术手册

    1. 产品简介


    IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G 和 IPI200N25N3 G 是由 Infineon Technologies AG 生产的 OptiMOSTM3 功率晶体管。这些器件是 N 沟道正常水平型场效应晶体管(N-channel, normal level),具有出色的栅极电荷与导通电阻(R DS(on))乘积性能,适用于高频率开关和同步整流应用。这些器件广泛应用于电源管理、电机驱动、照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - 连续漏极电流:T C=25 °C 时为 64 A;T C=100 °C 时为 50 A
    - 脉冲漏极电流:T C=25 °C 时为 256 A
    - 反向恢复时间:170 ns
    - 最大工作温度:175 °C
    - 最小击穿电压:V DS=250 V
    - 导通电阻:最大值 20 mW(V GS=10 V, I D=64 A 时)
    - 门级阈值电压:2 ~ 4 V(V DS=V GS, I D=270 µA 时)
    - 门级至源极泄漏电流:V GS=20 V, V DS=0 V 时 ≤ 100 nA
    - 热阻抗:结到壳为 0.5 K/W;结到环境为 62 K/W(最小散热面积)
    - 电气特性
    - 输入电容:5340 ~ 7100 pF
    - 输出电容:297 ~ 395 pF
    - 反向转移电容:4 pF
    - 开启延迟时间:18 ns
    - 关闭延迟时间:45 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:R DS(on) 最大仅为 20 mW,使得这些晶体管在高电流下仍能保持较低的功耗。
    - 优越的栅极电荷性能:栅极电荷 x R DS(on) 乘积表现优异,有助于减少开关损耗。
    - 高可靠性:合格于 JEDEC 标准并符合 RoHS、无卤素要求,确保了产品的长期稳定性和环保性。
    - 宽温域操作:能在-55 至 175 °C 的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理系统:在直流到直流转换器中,这些晶体管能有效降低开关损耗,提高系统效率。
    - 电机驱动:通过降低导通电阻,可以显著提升电机驱动系统的性能。
    - 照明系统:适用于 LED 驱动电路,能够高效地管理电流和热能。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑适当的散热措施,如使用大面积铜箔板来帮助散热,以防止器件过热。
    - 结合外部电阻(R G,ext)来优化栅极充电特性,减少开关延迟和上升时间。

    5. 兼容性和支持


    这些晶体管采用标准封装形式(PG-TO263-3、PG-TO220-3、PG-TO262-3),与大多数现有设计兼容。Infineon 提供详尽的技术文档和在线支持,包括详细的安装指南和故障排查手册。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:开启时发热严重?
    - 解决方案:增加散热片面积,确保良好的散热路径。
    - 问题2:开启延迟时间过长?
    - 解决方案:优化栅极充电电路,选择合适的外部电阻(R G,ext)。
    - 问题3:击穿电压不足?
    - 解决方案:检查应用电路中的 V DS 电压是否超出额定值,并进行相应的调整。

    7. 总结和推荐


    IPB200N25N3 G IPP200N25N3 G IPI200N25N3 G 是一款性能卓越、适用范围广泛的功率晶体管。其低导通电阻和优异的栅极电荷性能使其成为高频率开关和同步整流的理想选择。对于需要高可靠性和良好热管理的应用,推荐使用这些晶体管。不过,在使用过程中务必注意散热问题,以确保器件的长期稳定运行。

IPI200N25N3GAKSA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 64A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 86nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 270µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 64A
最大功率耗散 300W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 250V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.1nF@100V
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-262-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

IPI200N25N3GAKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPI200N25N3GAKSA1数据手册

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IPI200N25N3GAKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 4.2451 ¥ 35.2526
50+ $ 4.0621 ¥ 34.6342
100+ $ 3.9889 ¥ 34.3249
300+ $ 3.9523 ¥ 34.0157
500+ $ 3.9157 ¥ 33.7065
1000+ $ 3.806 ¥ 32.1603
5000+ $ 3.806 ¥ 32.1603
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