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IRFH7545TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 85 A, PQFN封装, 表面贴装
供应商型号: REB-TMOS2693
供应商: 海外现货
标准整包数: 4000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFH7545TRPBF

IRFH7545TRPBF概述

    强IRFET™ IRFH7545PbF 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:
    强IRFET™ IRFH7545PbF 是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用PQFN 5mm x 6mm封装。这款MOSFET主要用于高效率和高可靠性的电力转换应用。
    主要功能和应用领域:
    - 直流电机驱动应用:适用于刷式电机和无刷直流电机(BLDC)驱动。
    - 电池供电电路:适合各种便携式设备和电源管理。
    - 桥接拓扑结构:可用于半桥和全桥拓扑结构。
    - 同步整流应用:用于提高功率转换效率。
    - 谐振模式电源供应:适用于高频率和高效能的电源转换。
    - 冗余电源开关:确保系统的高可靠性。
    - DC/DC和AC/DC转换器:广泛应用于各种电源转换场合。
    - 逆变器:适用于将直流电转换为交流电的应用。

    2. 技术参数


    以下是技术规格和性能参数:
    - 最大栅极电压 (VGS):± 20V
    - 最大漏极电流 (ID):85A @ 25°C;54A @ 100°C
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):340A
    - 最大功耗 (PD):83W @ 25°C
    - 栅极电阻 (RG):2.5Ω
    - 热阻 (RθJC, Bottom):1.5°C/W
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):60V @ VGS = 0V,ID = 250μA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值4.3mΩ,最大值5.2mΩ @ VGS = 10V,ID = 51A
    - 栅阈电压 (VGS(th)):2.1 ~ 3.7V @ VDS = VGS,ID = 100μA
    - 栅极反向漏电流 (IGSS):最大100nA @ VGS = 20V
    - 栅极正向漏电流 (IGSS):最大100nA @ VGS = -20V

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 增强的门栅、雪崩和动态dV/dt鲁棒性:提高了耐久性。
    - 全面表征的电容和雪崩安全工作区 (SOA):提供了更可靠的性能保障。
    - 增强体二极管的dV/dt和dI/dt能力:提升了在高压下的稳定性。
    - 无铅,符合RoHS标准:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    实际应用场景:
    - 电机驱动系统:如电动工具、机器人和电动汽车的电机驱动。
    - 电源转换器:如笔记本电脑充电器和LED驱动电源。
    - 逆变器系统:如太阳能逆变器和风力发电系统。
    使用建议:
    - 在设计电机驱动系统时,需要考虑MOSFET的最大功耗和散热需求。
    - 对于高频率应用,需注意输出电容(Coss)对系统性能的影响。
    - 在高温度环境下使用时,应保证良好的散热措施以维持正常运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多种电子设备和电路兼容,支持广泛的工业应用。
    - 厂商支持:提供详尽的技术文档、应用指南和支持服务。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 高温环境下表现不佳:确保良好的散热机制,如增加散热片或优化PCB布局。
    - 噪声干扰:适当增加栅极电阻(RG)以减少开关过程中的电磁干扰。
    - 启动不稳定:检查并调整电路中的偏置电压,确保稳定的启动状态。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    强IRFET™ IRFH7545PbF 具备高效率、高可靠性和良好兼容性,适用于多种工业和消费电子产品。它在电机驱动、电源转换和逆变器应用中表现出色,能够应对恶劣的工作环境和高负荷情况。建议在需要高性能功率转换和电机控制的项目中优先选择此款MOSFET。

IRFH7545TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.89nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@ 100µA
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 110nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 83W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 5.2mΩ@ 51A,10V
长*宽*高 6mm*5mm*830μm
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IRFH7545TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFH7545TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7545TRPBF IRFH7545TRPBF数据手册

IRFH7545TRPBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.4134 ¥ 3.6257
8000+ $ 0.4026 ¥ 3.5312
12000+ $ 0.3955 ¥ 3.4681
16000+ $ 0.3572 ¥ 3.1324
24000+ $ 0.3381 ¥ 2.9656
库存: 4000
起订量: 4000 增量: 4000
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