处理中...

首页  >  产品百科  >  IPA80R650CEXKSA2

IPA80R650CEXKSA2

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS管, Vds=800 V, 24 A, PG-TO 220封装, 表面贴装
供应商型号: UA-IPA80R650CEXKSA2
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA80R650CEXKSA2

IPA80R650CEXKSA2概述

    800V CoolMOS™ CE Power Transistor IPA80R650CE 技术手册

    产品简介


    MOSFET(金属氧化物场效应晶体管) 是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理和开关电路中。本文档介绍的是Infineon Technologies公司推出的 CoolMOS™ CE 技术系列中的一个成员:IPA80R650CE。这是一种具有 800V 耐压能力的高性能功率MOSFET,专为高效率的设计提供支持。它特别适用于 LED照明 和 适配器 的应用,尤其是在采用 QR Flyback 拓扑结构的场合。

    技术参数


    IPA80R650CE的主要技术参数如下:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 800V (Tj=25°C)
    - 最大导通电阻 \(R{DS(on)}\): 650mΩ (VGS=10V, ID=5.1A, Tj=25°C)
    - 典型栅极电荷 \(Qg\): 45nC
    - 脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\): 24A (Tc=25°C)
    - 输出电容存储能量 \(E{oss}\) (400V): 3.3μJ
    - 体二极管峰值电流 \(I{di/dt}\): 400A/μs
    此外,IPA80R650CE还具备以下特性:
    - 高耐压技术
    - 极高的 \(dV/dt\) 额定值
    - 高峰值电流能力
    - 低栅极电荷
    - 低有效电容
    - 无铅电镀,符合RoHS标准和无卤素模塑化合物
    - 适用于消费级应用

    产品特点和优势


    IPA80R650CE的主要优势在于其 高效能 和 可靠性:
    - 高效能:通过极端的 \(dV/dt\) 额定值和低栅极电荷,该器件能够在高频开关应用中保持高效率。
    - 可靠性:其高导通电阻和高耐压特性使其能够承受严苛的工作环境。
    - 环保:无铅电镀和无卤素材料使得该器件在环保方面具有显著优势。

    应用案例和使用建议


    IPA80R650CE特别适用于 LED照明 和 适配器,特别是在 QR Flyback 拓扑结构的应用中。这些应用要求高效的开关电源,而IPA80R650CE的高耐压和低损耗特性使其成为理想选择。
    使用建议:
    - 在多 MOSFET 并联使用时,建议在栅极上添加铁氧体磁珠或使用独立的上下级配置。
    - 确保散热设计合理,以避免过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IPA80R650CE 采用 TO-220FP 封装,可直接替换市场上同类型的 MOSFET。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供相关的技术文档、应用笔记和仿真模型。有关详细信息,请访问公司的官方网站。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何处理 MOSFET 并联时的电流不均?
    - 解决方案:建议在栅极上添加铁氧体磁珠或使用独立的上下级配置来平衡电流分布。

    - 问题:在高功率应用中,如何防止过热?
    - 解决方案:确保散热设计充分,如使用散热片或风扇辅助散热,并监测器件温度以避免过热。

    总结和推荐


    综上所述,IPA80R650CE是一款具备高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合高效率开关电源的应用。它的 高耐压 和 低损耗 特性使其在LED照明和适配器中表现优异。建议在需要高效、高可靠性的电源应用中选用此产品。对于需要进一步技术支持的用户,Infineon Technologies提供了全面的技术文档和工具,以便于用户进行应用开发和调试。

IPA80R650CEXKSA2参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@100V
最大功率耗散 33W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.9V@ 470µA
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 650mΩ@ 5.1A,10V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
配置 -
栅极电荷 45nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220-3F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPA80R650CEXKSA2厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA80R650CEXKSA2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R650CEXKSA2 IPA80R650CEXKSA2数据手册

IPA80R650CEXKSA2封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.89 ¥ 7.4582
199+ $ 0.8813 ¥ 7.3849
606+ $ 0.855 ¥ 7.1649
1579+ $ 0.815 ¥ 6.8297
库存: 690
起订量: 141 增量: 50
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 7.45
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336