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JANTX2N7219U

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 125W 20V 60nC(Max) @ 10V 1个N沟道 200V 250mΩ 18A 1.3nF@ 25V SMD 贴片安装 16mm*11.55mm*3.58mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) JANTX2N7219U

JANTX2N7219U概述

    电子元器件产品技术手册:IRFN240 MOSFET

    1. 产品简介


    IRFN240 是一款基于 HEXFET® 技术设计的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于各种高可靠性需求的场景,例如开关电源、电机控制、逆变器、斩波电路、音频放大器以及高能脉冲电路等。IRFN240 的特点在于其极低的导通电阻(RDS(on))与高跨导率,这使其成为高速开关和大电流应用的理想选择。此外,该器件采用表面贴装技术(SMD),具备良好的热效率和轻量化特性,是现代电子设计的优选元件。

    2. 技术参数


    以下是 IRFN240 的关键性能参数及支持的电气特性:
    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 测试条件 |
    |
    | 额定工作电压 | V | — | 200 | — | BVDSS |
    | 导通电阻 | Ω | — | 0.18 | 0.25 | VGS = 10V, ID = 11A/18A |
    | 栅极阈值电压 | V | 2.0 | — | 4.0 | VDS = VGS, ID = 250µA |
    | 最大连续漏极电流 | A | — | 18 | 11 | VGS = 10V, TC = 25°C/100°C |
    | 最大脉冲漏极电流 | A | — | — | 72 | — |
    | 功耗 | W | — | — | 125 | TC = 25°C |
    | 动态 dV/dt 额定值 | V/ns | — | 5.0 | — | — |
    | 结温范围 | °C | -55 | — | 150 | — |
    | 芯片重量 | g | — | 2.6 | — | 典型值 |

    3. 产品特点和优势


    IRFN240 的独特功能和优势包括:
    - 高效能 HEXFET 技术:低 RDS(on) 和高跨导率,确保低功耗和高速切换。
    - 电气隔离性:完全密封的封装设计消除了额外隔离材料的需求,提高了热效率。
    - 动态性能优越:支持高达 5.0V/ns 的 dV/dt 额定值,适合高速应用。
    - 应用广泛:适用于多种领域,如开关电源、逆变器和电机控制。
    - 轻量化设计:表面贴装技术降低了整体重量,提升了便携性。
    这些特点使得 IRFN240 在工业、汽车和消费电子等领域具有强大的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFN240 的典型应用场景包括但不限于以下领域:
    - 开关电源:作为开关管使用时,需注意散热管理以避免热失效。
    - 电机驱动:与控制器配合使用,实现高效的能量转换。
    - 逆变器:由于其低开关损耗和高效率,非常适合用于逆变器设计。
    使用建议:在设计电路时,确保 PCB 设计满足良好的热管理要求。例如,可使用铜箔增加散热面积,同时避免过高的工作温度。

    5. 兼容性和支持


    IRFN240 支持多种封装和焊接工艺,例如 SMD-1 封装,且可以与大多数主流电子平台兼容。厂商提供详细的技术文档、SPICE 模型以及专业的技术支持,帮助用户快速完成设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    以下为用户可能遇到的一些问题及其解决方案:
    - 问题 1:IRFN240 在高温环境下性能下降。
    解决方案:增加散热器或优化 PCB 布局,降低工作温度。

    - 问题 2:开关速度慢。
    解决方案:调整驱动电阻(RG)以优化上升时间(tr)和下降时间(tf)。
    - 问题 3:导通电阻过高。
    解决方案:确认 VGS 是否达到额定阈值,适当增加驱动电压。

    7. 总结和推荐


    综合来看,IRFN240 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET,特别适合需要低功耗、高效率和快速开关的应用场景。其优异的热效率和广泛的兼容性使其在市场上占据重要地位。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率管的工程师和技术人员。
    结论:IRFN240 的综合表现令人满意,是一款值得推荐的产品。
    如需进一步信息,请访问 [IRF 官方网站](www.irf.com) 获取完整技术资料。

JANTX2N7219U参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.3nF@ 25V
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 60nC(Max) @ 10V
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 125W
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
长*宽*高 16mm*11.55mm*3.58mm
通用封装 SMD
安装方式 贴片安装
应用等级 军用级

JANTX2N7219U厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

JANTX2N7219U数据手册

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JANTX2N7219U封装设计

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