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IPZ40N04S58R4ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 40 A, PQFN 3 x 3封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: 10B-2781104-46
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1概述

    IPZ40N04S5-8R4 OptiMOS™-5 Power Transistor

    1. 产品简介


    IPZ40N04S5-8R4 是一款OptiMOS™-5 功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为汽车应用设计。作为一款N沟道增强型功率器件,它具备出色的电气特性和广泛的应用范围。该器件已经通过AEC-Q101认证,并且符合RoHS标准,是一款环保型产品。

    2. 技术参数


    以下是IPZ40N04S5-8R4的主要技术参数:
    - 连续漏极电流:40A(Tc=25°C,Vgs=10V);33A(Tc=100°C,Vgs=10V)
    - 脉冲漏极电流:160A
    - 雪崩能量(单脉冲):24mJ(Id=20A)
    - 雪崩电流(单脉冲):40A
    - 栅源电压:±20V
    - 最大功耗:34W(Tc=25°C)
    - 工作温度范围:-55°C至+175°C
    - 热阻:热阻结-壳(RthJC):4.4K/W;热阻结-环境(RthJA):60K/W
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):40V
    - 栅阈值电压(VGS(th)):2.2V~3.4V
    - 零栅压漏极电流(IDSS):0.8V~1.1V(VGS=0V,ID=20A,Tj=25°C)

    3. 产品特点和优势


    IPZ40N04S5-8R4具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻:最大导通电阻仅为8.4mΩ(VGS=10V,ID=20A),可显著降低能耗和热量产生。
    - 高可靠性:100%雪崩测试,确保在极端条件下的可靠运行。
    - 宽工作温度范围:-55°C至+175°C,适合各种恶劣环境。
    - 绿色产品:RoHS合规,无有害物质,符合环保要求。
    - 快速开关特性:优秀的动态性能,包括低输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向转移电容(Crrss)。

    4. 应用案例和使用建议


    IPZ40N04S5-8R4适用于多种应用,如电动车辆驱动系统、电机控制、电源转换等。在实际应用中,可以考虑以下建议:
    - 散热设计:由于工作温度范围较广,需要合理的设计散热系统以确保器件在高温下正常工作。
    - 电路布局:在PCB布局时,需确保有足够的铜面积(例如40mm×40mm×1.5mm)用于良好的散热。

    5. 兼容性和支持


    IPZ40N04S5-8R4采用PG-TSDSON-8-32封装,与市面上主流的PCB设计工具兼容。Infineon Technologies提供详尽的技术支持和维护服务,包括设计指南、参考电路和售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过载导致器件损坏
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    - 问题:启动时出现异常
    - 解决方案:检查输入电压和栅极驱动信号是否符合规格要求。
    - 问题:高温环境下工作不稳定
    - 解决方案:确保合理的散热设计,并选择合适的散热材料。

    7. 总结和推荐


    IPZ40N04S5-8R4 OptiMOS™-5 功率MOSFET是一款性能卓越的功率器件,具有出色的导通电阻、高可靠性及广泛的温度适用范围。它特别适合于汽车和其他严苛环境下的应用。强烈推荐在需要高性能、高可靠性的应用中使用该产品。
    欲了解更多详情或技术支持,请联系Infineon Technologies的客服部门。

IPZ40N04S58R4ATMA1参数

参数
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.4V@ 10µA
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 34W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 8.4mΩ@ 20A,10V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 771pF@25V
栅极电荷 13.7nC@ 10 V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IPZ40N04S58R4ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPZ40N04S58R4ATMA1数据手册

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IPZ40N04S58R4ATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.3866
521+ ¥ 2.2911
40000+ ¥ 2.2911
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