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BSC100N06LS3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 20V 34nC 1个N沟道 60V 10mΩ@ 10V 2.6nF@ 30V TDSON-8 贴片安装,黏合安装 5.9mm*5.15mm*1.27mm
供应商型号: BSC100N06LS3 G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC100N06LS3 G

BSC100N06LS3 G概述

    BSC100N06LS3 G OptiMOSTM3 Power Transistor 技术手册

    产品简介


    BSC100N06LS3 G 是一款采用 OptiMOSTM3 技术的高性能 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET。它适用于高频开关应用,如同步整流和直流-直流转换器。此产品具有优异的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)和卓越的热阻性能,确保了在多种应用领域的高效率和稳定性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大连续漏极电流 (ID):在 VGS=10V 时,TC=25°C 下为 50A;在 TC=100°C 下为 36A
    - 最高结温 (Tj):-55°C 至 150°C
    - 最大耗散功率 (Ptot):在 TC=25°C 下为 50W;在 TA=25°C 下为 2.5W
    - 反向恢复时间 (trr):35ns
    - 输出电容 (Coss):典型值 500pF,最大值 660pF
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):在 VGS=4.5V,ID=25A 时,典型值 11.8mΩ,最大值 17.9mΩ
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):在 VDS=VGS,ID=23μA 时,典型值 1.7V,范围 1.2V 到 2.2V
    - 输入电容 (Ciss):典型值 2600pF,最大值 3500pF
    - 动态特性
    - 栅极到源极电荷 (Qgs):10nC
    - 开关电荷 (Qsw):9nC
    - 封装参数
    - 封装类型:PG-TDSON-8
    - 标记:100N06LS

    产品特点和优势


    - 高频性能:适用于高达 1MHz 的频率,特别适合于同步整流和直流-直流转换器。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 10V VGS 下低至 7.8mΩ,显著降低功耗并提高系统效率。
    - 高热稳定性:优秀的热阻性能使其能在高温环境下稳定工作。
    - 100% 雪崩测试:确保产品可靠性,适用于各种恶劣条件下的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:常用于汽车电子、电源管理、工业自动化等领域。例如,在直流-直流转换器中作为主控开关,或者在电机驱动电路中实现高效开关控制。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,建议在安装过程中采用大面积铜散热片进行散热,并确保良好的散热设计以避免过热。此外,根据实际需求选择合适的栅极电阻(RG),通常建议设置在 1.3W 左右。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BSC100N06LS3 G 可与标准 PCB 兼容,适用于 TDSON-8 封装。
    - 支持和服务:Infineon Technologies AG 提供全面的技术支持,包括产品文档、应用指南和售后服务。如有需要,可以联系当地办事处获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:安装过程中发热严重。
    - 解决方案:检查散热片设计是否合理,增加散热面积或改善通风条件。

    - 问题 2:导通电阻较高。
    - 解决方案:确认工作温度是否在规定范围内,适当调整栅极驱动电压。
    - 问题 3:反向恢复时间较长。
    - 解决方案:使用适当的栅极驱动电路来优化开关速度,减少反向恢复时间。

    总结和推荐


    BSC100N06LS3 G 以其优异的高频性能、低导通电阻和高热稳定性,在众多应用中表现出色。适用于各种高要求的应用场合,特别是在汽车电子、电源管理和工业自动化领域。建议在设计时充分考虑其特性和工作环境,以确保最佳性能和可靠性。强烈推荐使用 BSC100N06LS3 G 这款高效的 MOSFET。

BSC100N06LS3 G参数

参数
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 34nC
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@ 30V
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.5W
长*宽*高 5.9mm*5.15mm*1.27mm
通用封装 TDSON-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BSC100N06LS3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC100N06LS3 G数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3 G BSC100N06LS3 G数据手册

BSC100N06LS3 G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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20000+ ¥ 2.32
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