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IRF100S201

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=100 V, 192 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 14M-IRF100S201
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF100S201

IRF100S201概述

    HEXFET® Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    HEXFET® Power MOSFET(型号:IRF100B201 和 IRF100S201)是国际整流器公司生产的高效能功率金属氧化物半导体场效应晶体管。这些器件广泛应用于电动机驱动、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流、谐振模式电源供应器等领域。IRF100系列提供了多种封装形式,包括TO-220和D2-Pak,满足不同应用场景的需求。

    技术参数


    以下是关键的技术规格和性能参数:
    - 额定电压(VDS):100V
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值3.5mΩ,最大值4.2mΩ
    - 连续漏极电流(ID):在TC=25°C时为192A,TC=100°C时为136A
    - 脉冲漏极电流(IDM):690A
    - 最大功率耗散(PD):在TC=25°C时为441W
    - 雪崩耐量:单脉冲雪崩能量EAS(热限制)为567mJ
    - 热阻抗:
    - 结到壳(RθJC):0.34°C/W
    - 壳到散热片(RθCS):0.50°C/W
    - 结到环境(RθJA):62°C/W(PCB安装)
    - 工作温度范围:存储和工作温度范围为-55°C至+175°C
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):2.0V至4.0V
    - 门极泄漏电流(IGSS):正向100nA,反向-100nA
    - 输入电容(Ciss):典型值9500pF
    - 输出电容(Coss):典型值660pF
    - 反向转移电容(Crss):典型值310pF

    产品特点和优势


    - 增强栅极、雪崩和动态dV/dt稳健性:提高了产品的整体耐用性和可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩安全操作区:确保了更高的应用可靠性和安全性。
    - 增强体二极管dV/dt和dI/dt能力:改善了开关速度和效率。
    - 无铅、符合RoHS标准、无卤素:满足环保要求,降低了对环境的影响。
    - 强IRFET™技术:进一步提升了产品的性能和稳定性。

    应用案例和使用建议


    HEXFET® Power MOSFET 广泛应用于电动机驱动、电池供电电路、电源转换器等多种场景。例如:
    - 电动机驱动:适用于刷式电机和无刷直流电机驱动,如图1所示。
    - 电源转换器:适用于同步整流、谐振模式电源供应器和OR-ing开关。
    使用建议:
    - 在高电流环境下,应注意散热设计,避免因过热导致器件损坏。
    - 使用合适的驱动电路,以确保良好的开关性能和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与其他标准驱动器和控制器兼容。
    - 支持和服务:国际整流器公司提供详尽的技术文档和应用指南,帮助用户正确使用和维护该器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热。
    - 解决方案:加强散热措施,如使用更大的散热片或增加散热风扇。
    - 问题2:驱动不稳定。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保有足够的驱动电流和合适的驱动电压。
    - 问题3:器件损坏。
    - 解决方案:检查电路中的过电压保护措施,确保不超过器件的最大额定电压。

    总结和推荐


    总体而言,HEXFET® Power MOSFET IRF100B201/IRF100S201 是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET。它具备出色的电气特性和广泛的适用范围,适用于各种电力电子应用。强烈推荐该器件用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

IRF100S201参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.5nF@50V
栅极电荷 255nC@ 10 V
最大功率耗散 441W(Tc)
Id-连续漏极电流 192A
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 4.2mΩ@ 115A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 TO-220,TO-220-3,TO-263,TO-263-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IRF100S201厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF100S201数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF100S201 IRF100S201数据手册

IRF100S201封装设计

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30+ ¥ 11.016
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300+ ¥ 10.3
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