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IRF7811WTR

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 3.1W(Ta) 12V 1V@ 250µA 33nC@ 5 V 1个N沟道 30V 12mΩ@ 15A,4.5V 2.335nF@16V SOIC-8 贴片安装
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF7811WTR

IRF7811WTR概述


    产品简介


    IRF7811W 是一款N沟道专用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的HEXFET功率MOSFET技术制造。这款产品特别适用于CPU核心DC-DC转换器,以其低导通损耗和低开关损耗著称。IRF7811W 的设计目标是在同步降压转换器的所有关键参数上实现最优平衡,包括RDS(on)、栅极电荷以及CdV/dt引起的导通免疫。IRF7811W 主要应用于高效率DC-DC转换器,特别是在现代微处理器电源系统中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | V | - | - | 30 |
    | 栅源电压 | VGS | V | ±12 | ±12 | ±12 |
    | 持续漏极或源极电流 | ID | A | 14 | 13 | - |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | A | - | - | 109 |
    | 功耗 | PD | W | - | 3.1 | 3.0 |
    | 结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | °C | -55 | - | 150 |
    | 源极二极管持续电流 | IS | A | - | - | 3.8 |
    | 源极二极管脉冲电流 | ISM | A | - | - | 109 |
    | 热阻 | RθJA | °C/W | - | - | 40 |
    | 热阻 | RθJL | °C/W | - | - | 20 |
    | RDS(on) | - | mΩ | 9.0 | - | - |
    | 总栅极电荷 | QG | nC | 22 | - | - |
    | 开关电荷 | Qsw | nC | 10.1 | - | - |
    | 输出电荷 | Qoss | nC | 12 | - | - |

    产品特点和优势


    1. 低导通损耗和开关损耗:IRF7811W 通过优化RDS(on) 和栅极电荷实现了优异的低导通和低开关损耗,这使其非常适合高效率的DC-DC转换器。
    2. 高Cdv/dt 免疫性:特别适合同步FET应用,确保在快速变化的工作条件下稳定运行。
    3. 高可靠性:绝对最大额定值和热阻参数表明,这款产品能够在极端环境下可靠运行,包括高达150°C的高温。
    4. 广泛的应用范围:适用于CPU核心DC-DC转换器和其他高效率电源管理应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRF7811W 通常用于高效率的DC-DC转换器中,尤其是在需要低功耗和高效能的环境中。例如,在服务器、通信设备以及个人电脑的电源系统中,这款MOSFET能够提供高性能的功率管理解决方案。
    使用建议
    - 在使用IRF7811W时,需注意保持适当的散热措施,以避免过高的结温导致损坏。
    - 对于高频率应用,应仔细考虑栅极电阻RG的选择,以确保开关时间和振铃现象得到控制。
    - 针对特定的电路设计,可以参考制造商提供的数据表和参考设计进行详细参数配置。

    兼容性和支持


    IRF7811W 支持常见的焊接技术,包括蒸汽相焊接、红外焊接、对流焊接或波峰焊接。同时,厂家提供了详细的文档和支持服务,以帮助用户在设计过程中解决各种问题。如需更多信息和技术支持,可访问IR公司的官方网站:[IR官网](http://www.irf.com)。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何防止IRF7811W 在高电流应用中过热?
    - A: 应用时需要合理的散热设计,使用大尺寸铜箔散热片,并确保PCB良好的热传导路径。
    2. Q: IRF7811W 何时出现栅极泄漏电流?
    - A: 当栅极到源极电压超过±12V时,可能会出现栅极泄漏电流。确保不超过该阈值。
    3. Q: IRF7811W 的最大脉冲电流是多少?
    - A: 脉冲漏极电流的最大值为109A,但需要遵循最长脉冲宽度和占空比限制以避免损坏。

    总结和推荐


    总体来看,IRF7811W 是一款非常出色的N沟道MOSFET,它在多个方面都表现出色,特别是其低导通损耗和高Cdv/dt 免疫性,使其成为高效率DC-DC转换器的理想选择。如果您的项目需要高效且可靠的电源管理解决方案,强烈推荐使用IRF7811W。此外,厂家提供的详细技术文档和高水平的技术支持也使得IRF7811W 成为市场上最具竞争力的产品之一。

IRF7811WTR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 15A,4.5V
最大功率耗散 3.1W(Ta)
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
配置 -
栅极电荷 33nC@ 5 V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.335nF@16V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF7811WTR厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF7811WTR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF7811WTR IRF7811WTR数据手册

IRF7811WTR封装设计

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