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IPSA70R600P7SAKMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=700 V, 8.5 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-IPSA70R600P7SAKMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPSA70R600P7SAKMA1

IPSA70R600P7SAKMA1概述


    产品简介


    IPSA70R600P7S 是一款采用CoolMOS™ P7技术的700V功率MOSFET。CoolMOS™是Infineon Technologies公司开发的一种高压功率MOSFET的技术,基于超结(Super Junction)原理。这款MOSFET专为成本敏感的消费市场设计,如充电器、适配器、照明和电视等应用。它具备非常低的导通电阻(RDS(on)),快速开关性能和优异的热性能,同时具备出色的静电放电(ESD)保护能力。

    技术参数


    关键性能参数
    - 最大耐压 (VDS): 700 V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.6 Ω
    - 典型栅极输入电荷 (Qg,typ): 10.5 nC
    - 脉冲漏电流 (ID,pulse): 20.5 A (TC=25°C)
    - 输出电容损耗能量 (Eoss): 1.2 µJ @ 400V
    - 典型阈值电压 (V(GS)th,typ): 3 V
    - 静电放电等级 (ESD Class, HBM): 2
    最大额定值
    - 连续漏极电流 (ID): 8.5 A (TC = 20°C), 5.0 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 20.5 A (TC=25°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS): 3.2 A
    - MOSFET dv/dt鲁棒性: 100 V/ns (VDS = 0...400V)
    - 门源电压 (VGS): ±16 V (静态), ±30 V (AC, f>1 Hz)
    - 总功耗 (Ptot): 43.1 W (TC=25°C)
    - 工作和存储温度范围 (Tj, Tstg): -40°C 至 +150°C
    - 连续二极管正向电流 (IS): 5.9 A (TC=25°C)
    热特性
    - 结点到环境热阻 (RthJC): 2.9 °C/W
    - 结点到环境热阻 (RthJA): 62 °C/W (leaded), 未指定 (SMD版本)

    产品特点和优势


    - 极低损耗:由于极低的FOM(RDS(on) Qg 和 RDS(on) Eoss)
    - 优秀的热行为
    - 集成ESD保护二极管
    - 低开关损耗 (Eoss)
    - 通过JEDEC标准验证
    - 成本竞争力强
    - 低温升
    - 高ESD鲁棒性
    - 允许更高的开关频率
    - 支持高功率密度设计和小外形尺寸

    应用案例和使用建议


    推荐的应用领域
    - 飞背拓扑结构的充电器、适配器、照明等应用。
    使用建议
    - 在并联MOSFET时,通常推荐使用铁氧体磁珠连接至门极或独立的双极结构。

    兼容性和支持


    - 封装标记:PG-TO 251 70S600P7
    - 相关链接:
    - [IFX CoolMOS™ P7网页](http://www.infineon.com)
    - [IFX设计工具](http://www.infineon.com)

    常见问题与解决方案


    问题1:如何处理高温环境下的性能变化?
    解决方案:确保使用适当的散热措施以保持结点温度低于最高额定值。可参考图8的图表了解不同温度下的性能变化。
    问题2:如何优化开关性能?
    解决方案:确保适当设置栅极电阻以最小化开关时间和能量损耗。参考图10的栅极电荷曲线选择合适的栅极电荷和栅极电阻。
    问题3:如何防止过高的瞬态热阻?
    解决方案:使用有效的热管理系统来降低热阻,尤其是SMD版本,如图14所示。

    总结和推荐


    IPSA70R600P7S是一款优秀的700V功率MOSFET,具有非常低的导通电阻和优秀的开关性能,特别适用于成本敏感且要求高效能的消费电子产品。其高ESD鲁棒性和集成ESD保护二极管使得该产品在多种应用场景中表现出色。建议在设计新的电源转换系统或更新现有系统时优先考虑使用该产品。

IPSA70R600P7SAKMA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 600mΩ@ 1.8A,10V
Id-连续漏极电流 8.5A
最大功率耗散 43.1W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 90µA
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 364pF@400V
配置 独立式
栅极电荷 10.5nC@ 400 V
Vgs-栅源极电压 16V
Vds-漏源极击穿电压 700V
FET类型 1个N沟道
通用封装 IPAK,TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IPSA70R600P7SAKMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPSA70R600P7SAKMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPSA70R600P7SAKMA1 IPSA70R600P7SAKMA1数据手册

IPSA70R600P7SAKMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2678 ¥ 2.305
500+ $ 0.2653 ¥ 2.284
1000+ $ 0.2579 ¥ 2.1792
5000+ $ 0.2579 ¥ 2.1792
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