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BSC0923NDIATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.5W 20V 2V@ 250µA 10nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 5mΩ@ 20A,10V 17A,32A 1.16nF@15V SON 贴片安装
供应商型号: ET-2726089
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSC0923NDIATMA1

BSC0923NDIATMA1概述

    BSC0923NDI Dual N-Channel OptiMOS™ MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSC0923NDI 是一款高性能的双通道N沟道OptiMOS™ MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高效能降压转换器设计。其主要功能包括双通道N沟道开关、逻辑电平控制(4.5V额定)和优化的热性能。BSC0923NDI 广泛应用于电源管理、电机驱动、电池充电等领域,特别适用于需要高效率和小体积的应用场合。

    技术参数


    BSC0923NDI 的主要技术参数如下:
    - 连续漏极电流(@ TC=70°C, VGS=10V):40A (Q1) / 40A (Q2)
    - 脉冲漏极电流(@ TC=70°C):160A (Q1) / 160A (Q2)
    - 最大雪崩能量(单脉冲):9mJ (Q1) / 20mJ (Q2)
    - 栅源电压(VGS):-20V 到 +20V
    - 功率耗散(@ TA=25°C):2.5W (Q1) / 2.5W (Q2)
    - 安全工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 反向雪崩电压:30V (Q1) / 30V (Q2)
    - 最大漏源导通电阻(@ VGS=10V, ID=20A):5mΩ (Q1) / 2.8mΩ (Q2)

    产品特点和优势


    - 双通道设计:能够同时控制两个独立的N沟道开关,实现更复杂的电源管理需求。
    - 优化的热性能:通过降低热阻抗(RthJC 和 RthJA),确保在高温环境下仍能保持高效运行。
    - 逻辑电平控制:4.5V的低阈值电压使电路设计更加简单,且易于与多种控制芯片兼容。
    - 100% 雪崩测试:确保在极端条件下具有可靠的性能。
    - 无铅电镀,符合RoHS标准:满足环保要求,适用于绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    - 典型应用场景:如笔记本电脑电源适配器、智能手机充电器、LED照明电源等。
    - 使用建议:
    - 确保散热良好,特别是长时间高负载情况下。
    - 注意电源电压的选择,避免超过30V的反向雪崩电压。
    - 使用低阻抗栅极电阻,以减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BSC0923NDI 可与其他标准逻辑电平控制器无缝连接。
    - 技术支持:Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和专业的客户支持服务,帮助用户解决应用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保MOSFET在高负载情况下的稳定工作?
    - 解决方案:合理选择散热方式,确保工作温度不超过150°C,特别是在高负载条件下。

    - 问题二:出现过高的栅源电压时怎么办?
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅源电压不超过规定范围,添加合适的栅极电阻来限流。

    总结和推荐


    综上所述,BSC0923NDI 是一款性能优异的双通道N沟道OptiMOS™ MOSFET,适合用于各种高效率、高可靠性的电力电子应用。其独特的双通道设计、高效的热管理和简单的逻辑电平控制使其在市场上具有显著的竞争优势。对于追求高效率和可靠性的工程师而言,BSC0923NDI 是一个非常值得推荐的产品。
    注:上述数据引自Infineon Technologies AG 发布的官方技术手册。

BSC0923NDIATMA1参数

参数
栅极电荷 10nC@ 4.5V
配置
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
Id-连续漏极电流 17A,32A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 2.5W
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.16nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 20A,10V
通用封装 SON
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSC0923NDIATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSC0923NDIATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSC0923NDIATMA1 BSC0923NDIATMA1数据手册

BSC0923NDIATMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.7779 ¥ 14.9343
10+ $ 1.1372 ¥ 9.5527
100+ $ 0.8744 ¥ 7.3446
500+ $ 0.7559 ¥ 6.3495
1000+ $ 0.6148 ¥ 5.1641
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