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IPB90N04S4-02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 150W 20V 91nC@ 10V 1个N沟道 40V 2.1mΩ@ 10V 7.25nF@ 25V TO-263-3 贴片安装,黏合安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: 726-IPB90N04S4-02
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB90N04S4-02

IPB90N04S4-02概述

    # OptiMOS®-T2 N-Channel Power Transistor

    产品简介


    产品类型与功能
    OptiMOS®-T2系列是一种高性能的N沟道增强型场效应晶体管(FET),专为高效率电力转换和驱动电机等应用设计。此款产品由全球知名的半导体制造商Infineon生产,具备卓越的热管理和电气特性,使其成为多种工业控制及汽车电子领域的理想选择。
    应用领域
    OptiMOS®-T2 N-Channel Power Transistor广泛应用于各种电力系统中,如:
    - 工业控制与自动化系统
    - 汽车电子系统
    - 驱动电机控制系统
    - 太阳能逆变器和电源管理系统

    技术参数


    性能参数
    - 连续漏极电流(ID):25°C时可达90A,在100°C时亦保持稳定
    - 脉冲漏极电流(ID,pulse):25°C时高达360A
    - 雪崩能量(EAS):单脉冲最大可达475mJ
    - 雪崩电流(IAS):90A
    - 最大栅源电压(VGS):±20V
    - 最大功耗(Ptot):25°C时可达150W
    工作环境
    - 工作温度范围(Tj):-55°C至+175°C
    - 储存温度范围(Tstg):-55°C至+175°C
    - 最高结温:175°C
    - MSL等级:1级至260°C峰值回流温度

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    1. 高性能AEC认证:适用于汽车电子系统。
    2. 高可靠性:100%雪崩测试,确保器件在极端条件下的稳定性。
    3. 环境友好:符合RoHS标准,绿色产品。
    4. 优秀的热管理能力:低至1.0K/W的热阻,确保在高功率应用中也能保持良好的散热效果。
    5. 多功能封装选项:提供多种封装形式,满足不同应用需求。

    应用案例和使用建议


    实际应用场景
    - 太阳能逆变器:用于将光伏电池产生的直流电转换为交流电,OptiMOS®-T2系列凭借其高效率和稳定性,可以提高系统的整体转换效率。
    - 工业电机驱动:适用于需要高频率开关的电机控制系统,能够显著降低损耗并提高能效。
    使用建议
    1. 散热设计:尽管OptiMOS®-T2系列具有出色的热管理能力,但在高负载条件下仍需注意散热,合理设计散热片和通风路径。
    2. 过压保护:由于其高耐压特性,建议在电路设计中增加适当的过压保护措施,避免器件损坏。
    3. 匹配合适的驱动器:根据具体应用选择合适的驱动器,以保证OptiMOS®-T2系列能够在最佳状态下工作。

    兼容性和支持


    兼容性
    OptiMOS®-T2系列N-Channel Power Transistor可与多种常见的控制器和逆变器配合使用,兼容性良好。同时,Infineon提供了丰富的技术支持和文档资源,帮助客户顺利完成系统集成和调试。
    厂商支持
    - 技术支持:Infineon提供详尽的技术文档和专业的技术支持服务。
    - 产品维护:Infineon确保长期供应和支持,便于客户进行产品的生命周期管理。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:过载时发热严重,无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热设计,确保有效的热传递路径;必要时增加额外的散热装置,如散热片或冷却风扇。

    2. 问题:工作时出现振铃现象。
    - 解决方案:增加栅极电阻值,减少开关速度,以减小振铃幅度;也可考虑使用专门的缓冲电路来抑制振铃。

    3. 问题:器件寿命短。
    - 解决方案:确保电路设计符合器件的电气特性要求,避免过压和过流情况发生。定期监测温度,及时调整散热方案。

    总结和推荐


    产品评估与推荐
    OptiMOS®-T2 N-Channel Power Transistor凭借其高效率、高可靠性、良好的热管理和广泛的适用范围,在电力转换和驱动电机等领域表现优异。无论是汽车电子还是工业控制系统,它都是值得信赖的选择。强烈推荐给寻求高性能电力转换和控制系统的工程师和技术人员。

IPB90N04S4-02参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.25nF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.1mΩ@ 10V
最大功率耗散 150W
Id-连续漏极电流 -
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 91nC@ 10V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263-3
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

IPB90N04S4-02厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB90N04S4-02数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB90N04S4-02 IPB90N04S4-02数据手册

IPB90N04S4-02封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.576 ¥ 21.6126
10+ $ 1.932 ¥ 16.2095
100+ $ 1.3068 ¥ 10.9641
500+ $ 1.0768 ¥ 9.034
1000+ $ 1.0206 ¥ 8.5628
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