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IRFIB41N15DPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 48W(Tc) 20V 5.5V@ 250µA 110nC@ 10 V 1个N沟道 150V 45mΩ@ 25A,10V 41A 2.52nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: CY-IRFIB41N15DPBF
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFIB41N15DPBF

IRFIB41N15DPBF概述


    产品简介


    产品名称:IRFS41N15DPbF, IRFIB41N15DPbF, IRFB41N15DPbF, IRFSL41N15DPbF
    产品类型:HEXFET® Power MOSFET(高频率直流转换器用)
    主要功能:
    - 高效开关
    - 低导通电阻
    - 快速恢复二极管
    应用领域:
    - 高频直流到直流(DC-DC)转换器
    - 电机控制
    - 电源管理

    技术参数


    - 最大持续漏极电流 (ID):25°C 下为 41A,在 100°C 下为 29A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大 164A
    - 最大功耗 (PD):
    - TO-220:200W (25°C)
    - TO-220 Full-Pak:48W (25°C)
    - D2-Pak:3.1W (25°C)
    - 热阻 (RθJC):
    - TO-220:0.75°C/W
    - TO-220 Full-Pak:3.14°C/W
    - TO-262:1.1°C/W
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):150V (VGS = 0V, ID = 250µA)
    - 导通电阻 (RDS(on)):最大 0.045Ω (VGS = 10V, ID = 25A)
    - 栅极阈值电压 (VGS(th)):3.0 ~ 5.5V (VDS = VGS, ID = 250µA)
    - 最大源极连续电流 (IS):41A

    产品特点和优势


    - 低栅极-漏极电荷:降低开关损耗
    - 全面表征电容:简化设计
    - 全表征雪崩电压和电流:提供可靠性和耐用性
    - 无铅设计:符合环保要求
    - 封装选项:多种封装选择(TO-220, TO-220 Full-Pak, TO-262, D2-Pak)

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 高频DC-DC转换器:例如在车载充电器中用于功率管理。
    - 电机控制:如风扇、泵等电机控制应用。
    使用建议:
    - 散热设计:确保足够的散热措施,以防止过热导致损坏。
    - 栅极驱动:采用合适的栅极驱动电路,以减少开关时间并提高效率。
    - 测试电路:使用参考图(例如Fig. 10a, Fig. 10b)进行开关时间测试,优化电路设计。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这些MOSFET可以应用于各种不同的电源和电机控制系统中。
    - 支持:Infineon Technologies 提供详细的文档和在线支持,帮助客户进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何减少开关损耗?
    - A:通过选择低栅极-漏极电荷的产品,如IRFS41N15DPbF,可以显著减少开关损耗。
    2. Q:在高温环境下,产品性能会下降吗?
    - A:在规定的温度范围内,产品性能稳定。但在极端温度下,可能需要额外的散热措施。
    3. Q:如何处理热阻?
    - A:在设计时应考虑良好的散热策略,例如使用散热片或散热膏来降低热阻。

    总结和推荐


    综上所述,IRFS41N15DPbF, IRFIB41N15DPbF, IRFB41N15DPbF, IRFSL41N15DPbF系列MOSFET具有高效、可靠、易于集成的特点,适用于多种应用场景。特别是它们在高频DC-DC转换器中的应用表现尤为出色。因此,我们强烈推荐这些产品用于需要高性能和可靠性的应用场合。

IRFIB41N15DPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 25A,10V
Vds-漏源极击穿电压 150V
配置 独立式
栅极电荷 110nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 41A
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.52nF@25V
通道数量 1
最大功率耗散 48W(Tc)
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFIB41N15DPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFIB41N15DPBF数据手册

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IRFIB41N15DPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9899 ¥ 8.5184
300+ $ 0.9808 ¥ 8.4416
500+ $ 0.9718 ¥ 8.3649
1000+ $ 0.9445 ¥ 7.9812
5000+ $ 0.9445 ¥ 7.9812
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