处理中...

首页  >  产品百科  >  IPU80R2K8CE

IPU80R2K8CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 42W 20V 3.9V 12nC@ 10V 800V 2.8Ω@ 10V 290pF@ 100V TO-251
供应商型号: IPU80R2K8CE
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPU80R2K8CE

IPU80R2K8CE概述

    800V CoolMOS™ CE Power Transistor IPD80R2K8CE, IPU80R2K8CE 技术手册

    产品简介


    800V CoolMOS™ CE Power Transistor 是一款高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它采用CoolMOS™ CE技术制造,具有高电压、高可靠性及紧凑设计的特点。CoolMOS™ CE技术通过结合安全性和高性能来实现最高效率的设计。此产品提供多种封装选择(如PG-TO 252和PG-TO 251),有助于减少系统成本并提高功率密度。

    技术参数


    - 关键性能参数
    - VDS (漏源击穿电压): 800 V
    - RDS(on) (最大漏源导通电阻): 2.8 Ω
    - Qg (典型门极电荷): 12 nC
    - ID (脉冲电流): 6 A
    - VGS(th) (典型门极阈值电压): 3 V
    - CO(tr) (典型输出电容): 26 pF
    - 最大额定值
    - 持续漏极电流: 1.9 A
    - 脉冲漏极电流: 6 A
    - 单次脉冲雪崩能量: 90 mJ
    - 反复雪崩能量: 0.05 mJ
    - 雪崩电流(反复): 1 A
    - MOSFET dv/dt 耐受度: 50 V/ns
    - 电源耗散(非FullPAK): 42 W
    - 热特性
    - 结-壳热阻: 3 °C/W
    - 结-环境热阻: 35 ~ 62 °C/W
    - 电气特性
    - 漏源导通电压: 800 V
    - 门极阈值电压: 2.1 ~ 3.9 V
    - 无门极电压时漏极电流: 5 µA
    - 漏源导通电阻: 2.4 ~ 6.5 Ω
    - 动态特性
    - 输入电容: 290 pF
    - 输出电容: 13 pF
    - 功率损耗: 在不同温度下的变化趋势图显示了其散热性能

    产品特点和优势


    - 高电压技术: 800V 的额定电压提供了更高的安全性和稳定性。
    - 极高的 dv/dt 额定值: 改善了开关性能,适合高频应用。
    - 低栅极电荷: 减少开关损耗,提高能效。
    - 低有效电容: 减少寄生电容效应,改善电路性能。
    - 工业级标准认证: 符合 JESD22 标准,确保高可靠性和长寿命。
    - 环保材料: 无铅镀层、RoHS 合规和无卤素模塑料。

    应用案例和使用建议


    应用领域
    - LED 照明:适用于改造应用中的 QR Flyback 拓扑结构。
    使用建议
    - 在使用过程中,应确保散热系统良好,以防止过热。
    - 针对高频应用,可通过降低栅极电阻来优化开关速度。
    - 使用适当大小的滤波电容器,以减少输出电压纹波。

    兼容性和支持


    - 封装
    - PG-TO 252
    - PG-TO 251
    - 其他支持
    - Infineon Technologies 提供全面的技术文档和在线支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热
    - 解决方法: 加装散热片,改善散热。
    - 问题2: 开关频率过高
    - 解决方法: 优化电路设计,降低开关频率。

    总结和推荐


    综合评估
    - 800V CoolMOS™ CE Power Transistor 在高电压和高频应用中表现出色,具有出色的开关性能和高可靠性。
    - 产品设计紧凑,能够显著降低系统成本和提高功率密度。
    - 强烈推荐在需要高可靠性和高性能的场合使用此产品。
    总之,800V CoolMOS™ CE Power Transistor IPD80R2K8CE 和 IPU80R2K8CE 是一款极具竞争力的产品,适合需要高效率、高可靠性的工业应用,尤其是 LED 照明等领域。

IPU80R2K8CE参数

参数
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 290pF@ 100V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.8Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.9V
栅极电荷 12nC@ 10V
FET类型 -
最大功率耗散 42W
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-251
零件状态 停产
包装方式 管装

IPU80R2K8CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPU80R2K8CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPU80R2K8CE IPU80R2K8CE数据手册

IPU80R2K8CE封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 2.9832
3000+ ¥ 2.9832
4500+ ¥ 2.9832
库存: 7500
起订量: 1500 增量: 1500
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 4474.8
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336