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BSS159N H6906

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 360mW 20V 3.5V 2.2nC@ 5V 1个N沟道 60V 3.5Ω@ 10V 230mA 33pF@ 25V SOT-23 贴片安装,通孔安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
供应商型号: 726-BSS159NH6906
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSS159N H6906

BSS159N H6906概述

    BSS159N SIPMOS® Small-Signal-Transistor

    1. 产品简介


    BSS159N SIPMOS® Small-Signal-Transistor 是一款N沟道耗尽型小信号晶体管。这款电子元器件具有多种优异的特性,适用于广泛的电子应用场合。主要功能包括在开关电源、电机控制和信号放大等领域中的应用。

    2. 技术参数


    以下为BSS159N的主要技术参数和技术规格:
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): 60 V(\( V{GS} = -10 \, \text{V}, ID = 250 \, \mu\text{A} \))
    - 漏源截止电流 \( I{D(OFF)} \): \( V{DS} = 60 \, \text{V}, V{GS} = -10 \, \text{V} \)
    - \( Tj = 25^\circ \text{C} \): - 至 0.1 \(\mu\text{A}\)
    - \( Tj = 125^\circ \text{C} \): - 至 10 \(\mu\text{A}\)
    - 漏极连续电流 \( ID \):
    - \( TA = 25^\circ \text{C} \): 0.23 A
    - \( TA = 70^\circ \text{C} \): 0.18 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{D, \text{pulse}} \): \( TA = 25^\circ \text{C} \): 0.92 A
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 29-39 pF
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 7.4-10 pF
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \):
    - \( V{DS} = 3 \, \text{V}, ID = 26 \, \mu\text{A} \)
    - \( V{GS(th)} \) 标记为不同字母 (例如J, K, L, M, N)
    - 工作环境
    - 工作温度范围 \( Tj, T{stg} \): -55 至 150°C
    - 存储温度范围: -55 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    BSS159N 具有以下独特的功能和优势:
    - 耐压高:其漏源击穿电压高达60V,能够在高电压环境下稳定运行。
    - 耗散功率大:最大功率耗散为0.36W,可有效应对高电流应用场景。
    - 可靠性强:通过AEC-Q101认证,符合RoHS标准,且100%无铅、无卤素。
    - 快速响应:低栅源电容和低门限电压,能够实现快速开关切换。
    - 易于驱动:适用于各种低压应用场景,门限电压较低,便于驱动。

    4. 应用案例和使用建议


    BSS159N 可广泛应用于多个领域,如开关电源、电机控制和信号放大等。具体应用示例包括:
    - 开关电源:可以作为高速开关管使用,提高转换效率。
    - 电机控制:适用于需要快速开关的电动机控制电路。
    - 信号放大:可作为放大器使用,提高信号传输的可靠性。
    使用建议:
    - 在高电压应用中,应确保其工作在安全范围内。
    - 由于其高漏源击穿电压,适用于需要高压保护的应用场景。
    - 在选择具体型号时,可以根据不同的门限电压 \( V{GS(th)} \) 选择合适的子型号。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BSS159N与多种标准封装(如SOT-23)兼容,适合广泛的PCB设计。
    - 支持:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方渠道获取更多技术资料及支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定合适的BSS159N型号?
    - A: 参考其门限电压 \( V{GS(th)} \) 的标记(如J, K, L, M, N),并根据应用需求选择合适范围的产品。

    - Q: 使用过程中出现过热现象如何处理?
    - A: 确保散热设计合理,避免长时间过载工作。可参考技术手册中的安全工作区图(Safe Operating Area 图)进行设计。

    - Q: 门限电压过高导致无法正常工作怎么办?
    - A: 检查电路设计,确保驱动电压满足器件要求。必要时更换门限电压更低的型号。

    7. 总结和推荐


    综上所述,BSS159N SIPMOS® Small-Signal-Transistor 是一款具有高可靠性、高性能的小信号晶体管。其广泛的应用领域和强大的技术支持使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐此产品用于需要高可靠性、高性能和快速响应的各类应用场景。

BSS159N H6906参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 33pF@ 25V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 230mA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
最大功率耗散 360mW
Rds(On)-漏源导通电阻 3.5Ω@ 10V
栅极电荷 2.2nC@ 5V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.1mm
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

BSS159N H6906厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSS159N H6906数据手册

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BSS159N H6906封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.7705 ¥ 6.5107
10+ $ 0.6797 ¥ 5.743
100+ $ 0.4433 ¥ 3.7459
500+ $ 0.364 ¥ 3.0755
1000+ $ 0.31 ¥ 2.6192
3000+ $ 0.2797 ¥ 2.3636
6000+ $ 0.2531 ¥ 2.1383
9000+ $ 0.2436 ¥ 2.0584
24000+ $ 0.2342 ¥ 1.9786
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