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BSS126H6906XTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 500mW(Ta) 20V 1.6V@ 8µA 2.1nC@ 5 V 1个N沟道 600V 500Ω@ 16mA,10V 21mA 28pF@25V SOT-23 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1.1mm
供应商型号: BSS126H6906XTSA1
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSS126H6906XTSA1

BSS126H6906XTSA1概述

    # BSS126 N-Channel Depletion MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSS126 是一款 N 沟道 depletion 模式的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高可靠性的电子系统设计。它具有出色的 dv/dt 额定值,可用作反向保护二极管或开关元件。该器件采用小信号封装,适用于多种应用场景,如电源管理、驱动电路、保护电路等领域。

    技术参数


    主要技术规格
    - 漏源击穿电压:V(BR)DSS = 600 V(VGS=-5 V, ID=250 μA)
    - 栅源阈值电压:VGS(th) = -2.7 V 至 -1.6 V(VDS=3 V, ID=8 μA)
    - 导通状态电流:IDSS = 7 mA(VGS=0 V, VDS=25 V)
    - 导通电阻:RDS(on) = 320 Ω 至 700 Ω(VGS=0 V, ID=3 mA)
    - 最大连续漏极电流:ID = 0.021 A(TA=25 °C)
    - 最大功耗:Ptot = 0.50 W(TA=25 °C)
    工作环境
    - 存储温度范围:Tstg = -55 °C 至 150 °C
    - 操作温度范围:Tj = -55 °C 至 150 °C
    - 热阻:RthJA ≤ 250 K/W

    产品特点和优势


    BSS126 的关键优势在于其耐高压特性(高达 600 V)、低漏电率和宽广的工作温度范围。这些特性使其成为恶劣环境下的理想选择,特别是在高电压和高温环境中。此外,该器件符合RoHS标准,无铅、无卤素,确保环保和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSS126 可用于电源管理、电机驱动和过压保护等场景。例如,在开关电源中,它可以作为稳压电路中的开关元件;在逆变器电路中,可以充当功率控制元件。由于其出色的耐 dv/dt 特性,它特别适合于快速开关应用。
    使用建议
    为了充分发挥BSS126的性能,建议在使用时注意以下几点:
    1. 确保在应用中使用合适的栅极驱动电压,以保证足够的导通电流和低导通电阻。
    2. 注意散热设计,尤其是在高功率应用中,避免因过热导致的性能下降。
    3. 在使用过程中监测工作温度,特别是在高温环境下工作时。

    兼容性和支持


    BSS126 采用了PG-SOT-23封装,可与同系列其他型号的器件进行互换。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括故障排查指南、样品请求和定制服务等。对于工程师来说,这有助于快速集成到设计中并确保最佳性能。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    1. 问题:在高功率应用中,器件发热严重
    - 解决方法:增加散热措施,如加装散热片或使用散热风扇,确保良好的热流通。
    2. 问题:工作时出现噪音
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,尤其是栅极驱动电路。确保正确的栅极驱动电压,避免振铃效应。
    3. 问题:器件耐久性差
    - 解决方法:严格遵守数据手册中的最大额定值限制,特别是漏极电流和功耗,防止器件过载。

    总结和推荐


    综上所述,BSS126 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道 depletion 模式 MOSFET,适用于多种严苛的应用场景。它的主要优点包括高耐压能力、低导通电阻和广泛的温度适应范围。鉴于其优秀的性能和可靠的设计,强烈推荐在需要高可靠性和稳定性的电路中使用。无论是对于电源管理还是复杂驱动电路,BSS126 都是一个值得信赖的选择。

BSS126H6906XTSA1参数

参数
配置 独立式
栅极电荷 2.1nC@ 5 V
最大功率耗散 500mW(Ta)
Id-连续漏极电流 21mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 28pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V@ 8µA
Rds(On)-漏源导通电阻 500Ω@ 16mA,10V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.1mm
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

BSS126H6906XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSS126H6906XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSS126H6906XTSA1 BSS126H6906XTSA1数据手册

BSS126H6906XTSA1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
6000+ ¥ 1.32
18000+ ¥ 1.298
30000+ ¥ 1.265
60000+ ¥ 1.243
库存: 6000
起订量: 6000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:6000
合计: ¥ 7920
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