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IPW65R045C7FKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C7系列, Vds=700 V, 46 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: IPW65R045C7FKSA1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 240
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPW65R045C7FKSA1

IPW65R045C7FKSA1概述

    文章:IPW65R045C7 MOSFET 技术手册详解

    1. 产品简介


    IPW65R045C7 是一种采用 CoolMOS™ C7 技术的高压功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),工作电压可达 650V。CoolMOS™ C7 系列结合了领先的超级结 MOSFET 供应商的经验和高水准的创新技术。这些产品提供了快速开关超级结 MOSFET 的所有优点,包括更好的效率、更低的门极电荷、易于实施和卓越的可靠性。它们适用于计算、服务器、电信、不间断电源(UPS)和太阳能等领域中的功率因数校正(PFC)阶段和硬开关脉宽调制(PWM)阶段。

    2. 技术参数


    根据技术手册,IPW65R045C7 的关键性能参数如下:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    | : | : | : |
    | 漏源击穿电压 V(BR)DSS | 650 | V |
    | 门源阈值电压 V(GS)th | 3.0 | 4.0 | V |
    | 零门源电压漏极电流 IDSS | 20 | µA |
    | 门源泄漏电流 IGSS | - | 100 | nA |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | 0.045 | Ω |
    | 输入电容 Ciss | - | 4340 | pF |
    | 输出电容 Coss | - | 70 | pF |
    | 总门极电荷 Qg | - | 93 | nC |
    | 反向恢复时间 trr | - | 725 | ns |
    | 反向恢复电荷 Qrr | - | 13 | µC |

    3. 产品特点和优势


    - 增强的 MOSFET dv/dt 耐压性:允许更高的系统效率。
    - 最佳 FOM(品质因子)RDS(on) Eoss 和 RDS(on) Qg:减少栅极电荷。
    - 最佳 RDS(on)/封装比:易于使用和驱动。
    - 无铅电镀和无卤素模塑化合物:环保友好。
    - 符合工业级标准:通过 JEDEC 认证(J-STD 和 JESD22)。
    这些特点使其能够提高系统的频率和功率密度,同时降低成本并提高系统的可靠性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    IPW65R045C7 主要应用于 PFC 阶段和硬开关 PWM 阶段。例如,在服务器和电信设备中用于电源转换和稳压。对于多 MOSFET 并联的情况,通常建议使用铁氧体磁珠或者独立的推拉结构。
    在实际使用中,建议进行充分的热设计以确保良好的散热效果,从而避免由于过高的温度导致的性能下降或损坏。

    5. 兼容性和支持


    IPW65R045C7 与大多数现有电源设计兼容。此外,Infineon Technologies 提供了相关的设计工具和应用笔记,便于用户进行开发和集成。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 无法启动 | 检查电源电压和连接线是否正确 |
    | 热稳定性差 | 改进散热设计,增加散热片 |
    | 性能下降 | 更换新的 MOSFET 或检查焊接质量 |

    7. 总结和推荐


    IPW65R045C7 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,适用于各种高要求的应用场合。其出色的耐压性和低导通电阻使其成为电源转换领域的首选。因此,强烈推荐此产品给需要高性能 MOSFET 的用户。
    总的来说,IPW65R045C7 在效率、稳定性和可靠性方面表现出色,是设计高效、紧凑和可靠的电源系统的重要选择。

IPW65R045C7FKSA1参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 45mΩ@ 24.9A,10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 227W(Tc)
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1.25mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.34nF@400V
通道数量 1
栅极电荷 93nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 46A
长*宽*高 16.13mm*5.21mm*21.1mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPW65R045C7FKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPW65R045C7FKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R045C7FKSA1 IPW65R045C7FKSA1数据手册

IPW65R045C7FKSA1封装设计

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