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BSP373NH6327XTSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 SIPMOS系列, Vds=100 V, 1.7 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-BSP373NH6327XTSA1 SOT-223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSP373NH6327XTSA1

BSP373NH6327XTSA1概述

    # BSP373N OptiMOS™ 小信号晶体管技术手册

    产品简介


    BSP373N 是一款由 Infineon Technologies 生产的小信号 N 沟道增强型 MOSFET 晶体管,属于 OptiMOS™ 系列。该产品广泛应用于电源管理、开关电路、电机控制等领域。其特点是具有高可靠性、低导通电阻(RDS(on))以及优异的热性能,特别适合用于高效率、小型化设计的应用场景。
    主要功能
    - 类型: N 沟道增强型 MOSFET
    - 关键特性: 高雪崩耐量、符合 AEC-Q101 标准
    - 封装形式: PG-SOT223
    应用领域
    - 开关电源
    - 电池管理系统
    - 工业自动化设备
    - 汽车电子系统

    技术参数


    以下是 BSP373N 的核心技术和性能指标:
    | 参数名称 | 符号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 持续漏极电流 | ID | A | 1.8 | - | 1.5 |
    | 脉冲漏极电流 | ID,pulse | A | 7.3 | - | - |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS | V | - | - | 100 |
    | 导通电阻 | RDS(on) | mΩ | - | 240 | - |
    | 输入电容 | Ciss | pF | - | 265 | - |
    | 输出电容 | Coss | pF | - | 48 | - |
    | 反向传输电容 | Crss | pF | - | 21 | - |
    | 热阻抗 | RthJA | K/W | - | 70 | - |

    产品特点和优势


    特点
    1. 高性能雪崩耐量:可在极端条件下保持稳定运行。
    2. 符合国际标准:满足 AEC-Q101 和 RoHS 规范。
    3. 环保设计:无卤素,符合 IEC 61249-2-21 标准。
    4. 低导通电阻:典型值仅为 240 mΩ,有效降低功耗。
    优势
    - 高效率:适用于高效能电路设计。
    - 高可靠性:可承受恶劣的工作环境。
    - 环保合规:满足全球环保要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSP373N 常用于电动汽车充电桩的电源转换模块中,其低导通电阻和高雪崩耐量特性使其成为理想选择。
    使用建议
    1. 在使用时确保工作温度范围为 -55°C 至 150°C,以充分利用其全温区性能。
    2. 配合适当的驱动电路,以实现最佳的开关速度和效率。
    3. 结合散热设计,减少热阻抗的影响,提升整体系统稳定性。

    兼容性和支持


    兼容性
    BSP373N 与多种主流控制器和驱动芯片兼容,适用于多种平台。
    支持服务
    Infineon 提供详尽的技术文档和支持,用户可通过官网获取进一步的技术资料及售后支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查工作电压是否达到要求,调整驱动电路。 |
    | 温度过高 | 加强散热设计,增加散热片或风扇。 |

    总结和推荐


    综合评估
    BSP373N OptiMOS™ 小信号晶体管凭借其卓越的性能和可靠的设计,在众多应用中表现出色。它不仅能够满足苛刻的工作条件需求,还具备出色的性价比。
    推荐使用
    强烈推荐在需要高效能、高可靠性的小型化设计中使用 BSP373N。无论是工业还是消费级电子产品,这款产品都能提供稳定的性能支持。

BSP373NH6327XTSA1参数

参数
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 218µA
Id-连续漏极电流 1.8A
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 240mΩ@ 1.8A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.8W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 265pF@25V
栅极电荷 9.3nC@ 10 V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.6mm
通用封装 SOT
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

BSP373NH6327XTSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSP373NH6327XTSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSP373NH6327XTSA1 BSP373NH6327XTSA1数据手册

BSP373NH6327XTSA1封装设计

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