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IRFY430

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 75W 20V 1个N沟道 500V 1.5Ω 4.5A TO-257-3 通孔安装 10.66mm*5.08mm*16.89mm
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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFY430

IRFY430概述

    IFRY430/IRFY430M 500V N-Channel HEXFET® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:IFRY430/IRFY430M 是由国际整流器公司生产的 500V N-通道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种产品采用了先进的 HEXFET® 技术,确保了卓越的性能和可靠性。
    主要功能:作为一款高效的功率 MOSFET,它具备高电流承载能力、低导通电阻(RDS(on)),适合于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器及需要高可靠性的多种应用场景。
    应用领域:广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器、斩波器、音频放大器等领域,特别是在高能量脉冲电路中表现出色。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 连续漏极电流(ID @ VGS = 10V, TC = 25°C):4.5A
    - 连续漏极电流(ID @ VGS = 10V, TC = 100°C):2.8A
    - 脉冲漏极电流(IDM):18A
    - 最大功耗(PD @ TC = 25°C):75W
    - 栅极-源极电压(VGS):±20V
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
    - 雪崩电流(IAR):4.5A
    - 重复雪崩能量(EAR):7.5mJ
    - 峰值二极管恢复电压(dv/dt):3.5V/ns
    - 工作结温(TJ):-55°C 至 150°C
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C
    - 铅温度:300°C(距离管壳 0.063 英寸 / 1.6 毫米处)
    - 典型重量:3.3g
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):500V
    - 导通电阻(RDS(on)):1.5Ω(VGS = 10V, ID = 2.8A)
    - 门限电压(VGS(th)):2.0V 至 4.0V(VDS = VGS, ID = 250µA)
    - 顺向跨导(gfs):1.5S(VDS > 15V, IDS = 2.8A)
    - 门-源电荷(Qg):29.5nC(VGS =10V, ID = 4.5A)

    3. 产品特点和优势


    - 高效性:采用 HEXFET® 技术,具备非常低的导通电阻(RDS(on))和高跨导,确保了出色的能效。
    - 简单驱动:驱动要求简单,易于并联操作,适用于多种复杂电路。
    - 封装隔离:全密封封装设计,无需额外隔离材料,热效率高,减少了寄生电容的影响。
    - 空间级应用:适用于太空级别的应用,具有高可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:在开关电源和电机控制中表现出色,能够快速开关,且在高能量脉冲电路中提供了可靠的性能。
    - 使用建议:为了最大化其性能,建议在高温环境下保持适当的冷却措施,以避免过热。同时,应注意其脉冲电流和雪崩能量的限制,以避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与大多数标准 PCB 设计兼容,可以直接替换类似规格的产品。
    - 支持:国际整流器公司提供详尽的技术文档和支持服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行时发热严重
    - 解决方法:增加散热装置,如散热片或风扇,以提高热散逸效率。
    - 问题:漏电流过高
    - 解决方法:检查电路板上的元件连接是否正确,确保所有接地良好,重新校准栅极电压。

    7. 总结和推荐


    综合评估:IFRY430/IRFY430M 500V N-通道 HEXFET® MOSFET 在高能效、高可靠性方面表现出色,适用于多种电力转换和控制场合。其优异的性能和简单的驱动需求使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛应用的潜力,强烈推荐使用 IFRY430/IRFY430M 产品。

IRFY430参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5Ω
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 500V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 4.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 75W
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
长*宽*高 10.66mm*5.08mm*16.89mm
通用封装 TO-257-3
安装方式 通孔安装

IRFY430厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFY430数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRFY430 IRFY430数据手册

IRFY430封装设计

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