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IPB180N04S3-02

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 300W 20V 160nC@ 10V 1个N沟道 40V 1.5mΩ@ 10V 180A 11nF@ 25V TO-263 贴片安装 10mm*9.25mm*4.4mm
供应商型号: Q-IPB180N04S3-02
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB180N04S3-02

IPB180N04S3-02概述


    产品简介


    OptiMOS®-T Power-Transistor IPB180N04S3-02
    OptiMOS®-T Power-Transistor 是一款专为高性能应用设计的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它具备卓越的电气特性和高可靠性,广泛应用于汽车、工业控制和电源管理等领域。此款晶体管通过了汽车电子协会(AEC-Q101)认证,适用于恶劣的工作环境,确保在各种复杂条件下的稳定运行。

    技术参数


    - 基本规格
    - 型号: IPB180N04S3-02
    - 封装类型: PG-TO263-7-3
    - 主要电气特性
    - 连续漏极电流 \(ID\): 180A
    - 脉冲漏极电流 \(I{D,\text{pulse}}\): 720A
    - 最大栅源电压 \(V{GS}\): ±20V
    - 功率耗散 \(P{tot}\): 300W
    - 工作温度范围: \(-55^\circ \mathrm{C} \sim +175^\circ \mathrm{C}\)

    - 热特性
    - 结温至壳体热阻 \(R{thJC}\): 0.5 K/W
    - SMD 版本,器件置于 PCB 上的结至环境热阻 \(R{thJA}\): 最小铜箔面积 6 cm²时为 40 K/W

    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 11000 至 14300 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 3000 至 3900 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 470 至 710 pF
    - 驱动特性
    - 开启延迟时间 \(t{d(\text{on})}\): 35 ns
    - 开启上升时间 \(tr\): 19 ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(\text{off})}\): 57 ns
    - 关断下降时间 \(tf\): 18 ns
    - 栅极电荷 \(Qg\): 160 至 210 nC
    - 雪崩击穿特性
    - 雪崩能量 \(E{AS}\): 1880 mJ (单脉冲)

    产品特点和优势


    OptiMOS®-T Power-Transistor IPB180N04S3-02 的特点在于其超低的导通电阻 \(R{DS(on)}\) (仅 1.5 mΩ),确保在高电流下仍然具有出色的低损耗特性。其坚固的封装和高可靠性使其在汽车和工业应用中表现出色。同时,它还具备优秀的热管理和超宽的工作温度范围,使得该晶体管在极端环境下仍能保持稳定性能。这一特性使其成为高性能电源管理系统的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车应用: 作为电机控制器中的关键组件,用于驱动电动机和执行器。
    - 工业应用: 在工厂自动化系统中作为开关元件,负责高电流负载的通断操作。
    - 电源管理: 作为DC-DC转换器中的功率转换元件,实现高效稳定的电力传输。
    使用建议
    - 散热设计: 由于其高功率耗散特性,建议在实际应用中考虑良好的散热措施,如增加散热片或采用高效的散热材料。
    - 布线布局: 在 PCB 设计时,尽量减小信号走线长度,减少寄生电感和电容的影响。
    - 电路保护: 添加合适的过压和过流保护电路,防止因意外故障导致的损坏。

    兼容性和支持


    OptiMOS®-T Power-Transistor IPB180N04S3-02 具备广泛的兼容性,可轻松集成到现有的电子系统中。此外,Infineon Technologies 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和应用笔记,以帮助用户更好地理解和使用这款晶体管。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 开启和关断速度较慢。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路的设计,确保足够的驱动电流和适当的栅极电容值。

    2. 问题: 发生过压或过流现象。
    - 解决方案: 增加过压保护和过流保护措施,例如使用 TVS 二极管和保险丝。

    3. 问题: 散热不足导致的温度升高。
    - 解决方案: 改进散热设计,增加散热片面积或采用更有效的散热材料。

    总结和推荐


    OptiMOS®-T Power-Transistor IPB180N04S3-02 是一款性能卓越、可靠性强的 MOSFET,适合在汽车、工业控制和电源管理等高要求领域中使用。其低导通电阻和超宽工作温度范围使其在多种应用场景中表现出色。推荐给需要高性能、高可靠性的客户。

IPB180N04S3-02参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 1.5mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 180A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11nF@ 25V
通道数量 1
最大功率耗散 300W
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 160nC@ 10V
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPB180N04S3-02厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB180N04S3-02数据手册

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IPB180N04S3-02封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 4.76 ¥ 39.6508
30000+ $ 4.284 ¥ 35.6857
50000+ $ 3.808 ¥ 31.7206
100000+ $ 3.57 ¥ 29.7381
库存: 10000
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