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IPP50R280CE

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 92W 20V 3.5V 32.6nC@ 10V 1个N沟道 550V 280mΩ@ 13V 13A 773pF@ 100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: Q-IPP50R280CE
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP50R280CE

IPP50R280CE概述

    500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPW50R280CE, IPP50R280CE

    1. 产品简介


    产品类型:
    500V CoolMOS™ CE系列是Infineon Technologies推出的高性能高压功率MOSFET,采用超级结(Super Junction, SJ)技术。
    主要功能:
    - 极低的导通和开关损耗,适用于高效、紧凑、轻量化和低温的应用。
    - 超高的抗冲击能力和易于驱动的特点。
    - 环保材料(无铅电镀,无卤素模塑化合物)。
    应用领域:
    - 功率因数校正(PFC)电路
    - 硬开关脉冲宽度调制(PWM)电路
    - 谐振开关PWM电路
    - 如个人电脑银盒、液晶电视(LCD)、等离子电视(PDP)和照明系统等

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 \( V{DS} \) | 550 | V |
    | 最大漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \) | 0.28 | Ω |
    | 连续漏极电流 \( ID \) | 18.1 | A |
    | 门源电压 \( V{GS} \) | -30 to +30 | V |
    | 极端条件下门源电压 \( V{GS} \) | -20 to +20 | V |
    | 漏极脉冲电流 \( I{D, pulse} \) | 42.9 | A |
    | \( E{oss} \)(400V时) | 3.2 | μJ |
    | 极端工作温度范围 \( Tj, T{stg} \) | -55 to +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 极低损耗:由于非常低的 \( FOM (R{DS(on)} Qg) \) 和 \( E{oss} \),该器件在转换过程中具有极低的损耗。
    - 高耐压能力:具备卓越的反向恢复特性和dv/dt鲁棒性。
    - 易用性:易于驱动和使用。
    - 环保设计:无铅电镀和无卤素模塑化合物。
    - 工业级标准:符合JESD22工业级应用标准。

    4. 应用案例和使用建议


    该器件广泛应用于PFC电路、硬开关PWM电路和谐振PWM电路。例如,在个人电脑银盒、液晶电视和等离子电视的电源管理系统中,它能够显著提高系统的效率和稳定性。为了确保最佳性能,在设计时需要考虑散热管理并合理选择外围元件。
    使用建议:
    - 在设计电路时需考虑散热问题,以防止器件过热。
    - 配合专用驱动器使用,可以进一步提升系统的可靠性和效率。
    - 在关键应用场景中,增加保护电路以避免过压和过流情况。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与多种封装形式兼容,如PG-TO247和PG-TO220。此外,CoolMOS™系列提供了广泛的产品线,便于进行替换和升级。
    - 支持和服务:Infineon Technologies提供详尽的技术文档和在线工具支持,方便用户进行设计和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何防止过热?
    - 解决方案:通过合理的布局和选用合适尺寸的散热片,同时确保良好的气流条件,可以帮助有效控制温度。

    - 问题2:如何选择合适的驱动器?
    - 解决方案:Infineon官方网站提供了详细的驱动器选型指南,用户可以根据负载和应用场景的具体需求来选择适合的驱动器型号。

    7. 总结和推荐


    500V CoolMOS™ CE Power Transistor IPW50R280CE和IPP50R280CE凭借其卓越的性能和广泛的适用性,成为高性能电力转换应用的理想选择。其高效率、低损耗、易用性等特点使其在市场上具有强大的竞争力。总体来说,该产品表现出色,推荐用于各类高压电力转换场合。
    本文档提供了一套完整的信息,从产品的基本介绍到详细的技术参数,再到具体应用和使用建议,为用户提供了全面的支持。如果您有任何疑问或反馈,欢迎联系Infineon Technologies的技术支持团队。

IPP50R280CE参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 13V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 独立式
通道数量 1
最大功率耗散 92W
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 773pF@ 100V
Id-连续漏极电流 13A
栅极电荷 32.6nC@ 10V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

IPP50R280CE厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP50R280CE数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R280CE IPP50R280CE数据手册

IPP50R280CE封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 5.94
6000+ ¥ 5.72
9000+ ¥ 5.5
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起订量: 3000 增量: 3000
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