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IRLR7807ZTRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 40W(Tc) 20V 2.25V@ 250µA 11nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 13.8mΩ@ 15A,10V 43A 780pF@15V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: 2803429
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR7807ZTRPBF

IRLR7807ZTRPBF概述

    IRLR7807ZPbF 和 IRLU7807ZPbF HEXFET Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRLR7807ZPbF 和 IRLU7807ZPbF 是来自国际整流器(International Rectifier)公司的 HEXFET 系列 Power MOSFET。它们具备低导通电阻(RDS(on))、超低门极阻抗(Ultra-Low Gate Impedance)以及全特征化的雪崩电压和电流(Fully Characterized Avalanche Voltage and Current)。这些特性使得它们特别适用于高频率同步降压转换器(High Frequency Synchronous Buck Converters),特别是在计算机处理器电源管理方面表现出色。此外,它们还采用了无铅设计(Lead-Free)以符合环保标准。

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 值 |
    |
    | VDS (漏源电压) | V | 30 |
    | RDS(on) (静态导通电阻) | mΩ | 13.8 |
    | Qg (总栅极电荷) | nC | 7.0 |
    | IDM (脉冲漏极电流) | A | 170 |
    | TJ (工作结温) | °C | -55 至 +175 |
    | RθJC (结至外壳热阻) | °C/W | 3.75 |
    | RθJA (结至环境热阻) | °C/W | 50, 110 |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:即使在4.5V VGS 下,RDS(on) 仍保持较低,适合低损耗应用。
    - 超低门极阻抗:降低了驱动功率损耗。
    - 全特征化雪崩电压和电流:确保可靠性和稳定性。
    - 高频率应用能力:适合高频同步降压转换器。
    - 无铅设计:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    这些 MOSFET 主要用于计算机处理器电源管理。例如,在高频率同步降压转换器中,它们可以有效地降低功耗并提高系统效率。具体应用时,建议参考应用笔记 #AN-994 来选择合适的 PCB 足迹和焊接技术。对于实际应用中的电流和温度限制,需要注意不能超过手册中的绝对最大额定值。

    兼容性和支持


    这些 MOSFET 可与其他支持相同封装和接口标准的器件兼容。国际整流器公司提供详细的技术支持和维护文档,确保用户能够充分利用这些产品的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题:当电流超过极限时,器件会过热。
    - 解决方案:确保电路设计中有适当的散热措施,如使用大尺寸散热片或增强散热效果的 PCB 设计。
    - 问题:启动时出现电压尖峰。
    - 解决方案:增加外部电容器来平滑电压变化,并优化栅极电阻 (RG) 以减少振铃效应。
    - 问题:功耗过大。
    - 解决方案:选用更小的 RDS(on),优化栅极电荷 (Qg),并考虑采用同步整流技术。

    总结和推荐


    IRLR7807ZPbF 和 IRLU7807ZPbF HEXFET Power MOSFET 在低导通电阻和高频率应用方面表现出色,特别适合于需要高效能、高可靠性电源管理的应用场合。由于其独特的特性和广泛应用潜力,强烈推荐在相关领域的产品设计中使用。结合厂商提供的详尽技术支持和文档,可以确保在实际应用中发挥最佳性能。

IRLR7807ZTRPBF参数

参数
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.25V@ 250µA
最大功率耗散 40W(Tc)
栅极电荷 11nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 780pF@15V
Id-连续漏极电流 43A
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 13.8mΩ@ 15A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRLR7807ZTRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR7807ZTRPBF数据手册

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IRLR7807ZTRPBF封装设计

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