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IRF5810TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 960mW 12V 1.2V@ 250µA 9.6nC@ 4.5V 2个P沟道 20V 90mΩ@ 2.9A,4.5V 2.9A 650pF@16V TSOP-6 贴片安装 3mm*1.5mm*1.1mm
供应商型号: 1298560
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF5810TRPBF

IRF5810TRPBF概述


    产品简介


    IRF5810PbF 是一款由 International Rectifier 生产的 HEXFET 功率 MOSFET。这种 P 沟道 MOSFET 采用了先进的加工技术,提供了极低的导通电阻(RDS(on)),这为设计者提供了一种高效的装置,适用于电池管理和负载管理应用。它采用双 TSOP-6 封装形式,非常适合空间有限且需要最大功能性的印刷电路板设计。通过两个晶体管封装在一个小面积内,IRF5810 可以替代两个 SOT-23 封装,同时保持小尺寸。此外,它的独特热设计和降低的导通电阻(RDS(on))使其具有更高的电流处理能力。

    技术参数


    - VDS(漏源电压): -20 V
    - ID(连续漏极电流)@ TA = 25°C: -2.9 A @ VGS @ -4.5V
    - ID(连续漏极电流)@ TA = 70°C: -2.3 A @ VGS @ -4.5V
    - IDM(脉冲漏极电流): -11 A
    - PD(功率耗散)@ TA = 25°C: 0.96 W
    - PD(功率耗散)@ TA = 70°C: 0.62 W
    - 线性降额因子: 0.008 mW/°C
    - VGS(栅源电压): ± 12 V
    - TJ, TSTG(结温和存储温度范围): -55 到 + 150 °C
    - RθJA(最大结至环境热阻): 130 °C/W

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻:在 VGS = -4.5V 和 -2.9A 时为 90 mΩ,在 VGS = -2.5V 和 -2.3A 时为 135 mΩ。
    - 双 P 沟道 MOSFET:适合电池管理和负载管理应用。
    - 表面贴装:便于自动化生产。
    - 无铅和无卤素:符合环保标准。
    - 低栅极电荷:减少了开关损耗,提高了效率。
    - 独特的热设计:提高可靠性并允许更高电流处理。

    应用案例和使用建议


    - 电池管理系统:可以用于充电电路中控制电流。
    - 负载管理:用于需要高效率电流切换的应用。
    - 电源管理:特别适用于需要高电流、低电阻的应用。
    - 电机驱动:由于其快速开关时间和低导通电阻,非常适合驱动电机。
    使用建议:
    - 在使用过程中要确保散热良好,避免因过热导致损坏。
    - 使用合适的栅极驱动器以减少开关损耗。
    - 注意不要超过规定的最高温度范围,避免结温过高导致失效。

    兼容性和支持


    - 该产品可与其他适当的电子元件兼容,如栅极驱动器和电源管理芯片。
    - International Rectifier 提供技术支持和售后服务,用户可以通过公司官网获取更多帮助和资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:温度超过规定范围时,出现过热现象。
    - 解决方案:增加散热措施,如增加散热片或采用外部冷却系统。
    - 问题二:开关时间不符合预期。
    - 解决方案:检查栅极驱动器的配置,并确保使用适当的驱动器。
    - 问题三:电流泄漏过多。
    - 解决方案:检查焊接质量和 PCB 设计,确保没有短路或其他缺陷。

    总结和推荐


    总体来说,IRF5810PbF 功率 MOSFET 以其超低的导通电阻和高效能表现,非常适用于各种需要高电流、低电阻的应用场合。它的设计紧凑且可靠性高,适合现代电子设备的设计要求。虽然价格略高,但考虑到其优越的性能和较长的使用寿命,仍是一款值得推荐的产品。如果您正在寻找一种高效、可靠且多功能的功率 MOSFET,IRF5810PbF 是一个理想的选择。

IRF5810TRPBF参数

参数
FET类型 2个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 90mΩ@ 2.9A,4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@16V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 2.9A
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 2
最大功率耗散 960mW
栅极电荷 9.6nC@ 4.5V
配置
长*宽*高 3mm*1.5mm*1.1mm
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

IRF5810TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF5810TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF5810TRPBF IRF5810TRPBF数据手册

IRF5810TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.6643 ¥ 5.5603
10+ $ 0.5333 ¥ 4.464
100+ $ 0.4423 ¥ 3.7021
500+ $ 0.3731 ¥ 3.1227
1000+ $ 0.3141 ¥ 2.629
5000+ $ 0.3051 ¥ 2.5539
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