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IRF6641TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.8W(Ta),89W(Tc) 20V 4.9V@ 150µA 48nC@ 10 V 1个N沟道 200V 59.9mΩ@ 5.5A,10V 4.6A,26A 2.29nF@25V MG-WDSON-5 直接安装,贴片安装 6.35mm*5.05mm*700μm
供应商型号: IRF6641TRPBF
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRF6641TRPBF

IRF6641TRPBF概述

    IRF6641TRPbF Digital Audio MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品名称: IRF6641TRPbF
    产品类型: 数字音频MOSFET
    主要功能: IRF6641TRPbF 是一款专为Class-D音频放大器应用设计的MOSFET,利用最新的处理技术实现低导通电阻和优化的关键Class-D音频放大器性能因素,如效率、THD(总谐波失真)和EMI(电磁干扰)。
    应用领域: Class-D音频放大器、音响系统、高保真音频设备、家用音响系统、汽车音响系统等。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - VDS(漏源电压):200V
    - RDS(ON)(导通电阻):典型值 51mΩ(@ VGS = 10V, ID = 5.5A)
    - Qg(总栅极电荷):典型值 34nC
    - RG(int)(内部栅极电阻):典型值 1.0Ω
    - 工作温度范围: -40°C 到 +150°C
    - 最大额定值:
    - VGS(栅极-源极电压):±20V
    - 连续漏极电流(@ TA = 25°C, VGS = 10V):4.6A
    - 脉冲漏极电流:37A
    - 单脉冲雪崩能量:46mJ
    - 额定功率耗散(@ TA = 25°C):2.8W
    - 最大热阻(junction-to-ambient):45°C/W
    - 兼容性和封装: 采用DirectFET® 封装技术,符合RoHS标准且无卤素,适用于表面贴装工艺。

    3. 产品特点和优势


    - 高效率: 采用最新MOSFET硅技术,导通电阻低,有助于提高效率。
    - 优化性能: 优化的关键参数,如栅极电荷、反向恢复时间和内部栅极电阻,提高Class-D音频放大器的整体性能。
    - 低寄生电感: DirectFET® 封装技术可降低寄生电感,减少振铃和EMI,提升整体稳定性。
    - 双重冷却兼容: 支持双面冷却,增强散热能力,提高热稳定性和功率耗散。
    - 兼容性: 与现有表面贴装技术兼容,便于生产和组装。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: 用于Class-D音频放大器,提升音频系统的音质和可靠性。例如,应用于高端音响系统,提供高质量的音频体验。
    - 使用建议: 确保良好的散热设计以避免过热,特别是在大电流工作条件下。根据负载需求选择合适的栅极驱动电路,以确保快速和准确的开关控制。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与多种音频放大器电路兼容,可以轻松集成到现有系统中。支持表面贴装技术,兼容现有的制造流程。
    - 厂商支持: 提供详尽的技术文档和支持资源,帮助用户快速上手和解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 设备在长时间运行时出现过热现象。
    A: 检查散热设计是否合理,考虑增加散热片或改进散热路径。也可以降低输入电压以减少功耗。
    - Q: 开关频率不稳定。
    A: 检查电源稳定性,调整栅极电阻以优化开关速度。确保驱动电路能够提供足够的驱动能力。
    - Q: 音频输出质量不佳。
    A: 检查电路布局和走线,确保低噪声设计。优化电源滤波和旁路电容,减少EMI干扰。

    7. 总结和推荐


    综合评估: IRF6641TRPbF 在效率、可靠性、兼容性方面表现出色,特别适合于Class-D音频放大器应用。其独特的DirectFET® 封装技术使其在同类产品中脱颖而出。
    推荐使用: 综合考虑其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐用于高性能音频放大器的设计和开发。
    如需获取更多详细信息,请访问 [International Rectifier 官网](http://www.irf.com/)。

IRF6641TRPBF参数

参数
配置 独立式双drain双源
栅极电荷 48nC@ 10 V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 4.6A,26A
最大功率耗散 2.8W(Ta),89W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 59.9mΩ@ 5.5A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.9V@ 150µA
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.29nF@25V
长*宽*高 6.35mm*5.05mm*700μm
通用封装 MG-WDSON-5
安装方式 直接安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

IRF6641TRPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRF6641TRPBF数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRF6641TRPBF IRF6641TRPBF数据手册

IRF6641TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
26+ ¥ 13.3067
27+ ¥ 12.8438
28+ ¥ 12.6124
30+ ¥ 12.4967
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