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IPD85P04P4-07

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 88W 20V 4V 89nC 1个P沟道 40V 5.3mΩ 85A TO-252-3 贴片安装,黏合安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IPD85P04P4-07
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD85P04P4-07

IPD85P04P4-07概述

    # IPD85P04P4-07 OptiMOS®-P2 功率晶体管技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IPD85P04P4-07 是一款由Infineon Technologies生产的OptiMOS®-P2系列功率晶体管。该晶体管属于P沟道增强型器件,适用于汽车和其他高性能应用领域。其主要特点包括AEC-Q101认证、高热稳定性、环保无卤素材料(RoHS合规)以及高可靠性(100%雪崩测试通过)。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:作为开关电源系统中的功率晶体管,能够实现高效率和低损耗的电力转换。
    - 应用领域:广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备、电源管理等领域。

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压(V DS):-40 V
    - 漏极连续电流(I D):-85 A
    - 脉冲漏极电流(I D,pulse):-340 A
    - 击穿能量(EAS):30 mJ
    - 门限电压(V GS):±20 V
    - 最大耗散功率(P tot):88 W
    - 工作及存储温度范围(T j, T stg):-55°C 至 +175°C
    - 热阻(R thJC):1.7 K/W
    电气特性
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-40 V
    - 门限电压(V GS(th)):-2.0 V 至 -4.0 V
    - 门源漏电流(I GSS):-100 nA
    - 导通电阻(R DS(on)):5.3 mΩ 至 7.3 mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容(C iss):4681 pF 至 6085 pF
    - 输出电容(C oss):1520 pF 至 2280 pF
    - 反向传输电容(C rss):45 pF 至 91 pF
    - 开启延迟时间(t d(on)):24 ns
    - 关闭延迟时间(t d(off)):34 ns
    - 反向恢复时间(t rr):48 ns

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    1. P沟道增强型设计:适用于各种开关电源电路,提供高可靠性和耐用性。
    2. AEC-Q101认证:确保在汽车应用中的高可靠性和安全性。
    3. 高热稳定性:最高可达175°C的工作温度,适用于极端环境。
    4. RoHS合规:环保无卤素材料,符合国际环保标准。
    5. 100%雪崩测试通过:保证产品在恶劣条件下的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该晶体管常用于车载电子设备(如电池管理系统)、电机驱动、工业自动化控制系统等。例如,在汽车电池管理系统中,IPD85P04P4-07可用于实现高精度和高效率的电流检测和控制。
    使用建议
    1. 散热设计:由于较高的工作温度和功率耗散,建议采用有效的散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    2. 信号线路保护:由于输入输出电容较高,需要考虑增加输入滤波电路以减少干扰。
    3. 合理布局:在PCB设计时,应将该晶体管放置于散热效果好的位置,并尽量缩短引脚走线以减少杂散电感。

    兼容性和支持


    兼容性
    该晶体管与多种常见的电源管理芯片和控制器兼容,适用于不同的电路设计。
    厂商支持
    Infineon Technologies提供了详尽的技术支持和售后服务,可以通过其官方网站或当地销售代表获取更多信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 功耗过高:可能是因为电路布局不合理或散热设计不足导致。
    2. 开关速度慢:可能是由于电路电容过大或驱动电路设计不当。
    3. 击穿电压异常:可能是由于制造缺陷或电路设计不合理。
    解决方案
    1. 优化散热设计:改善散热片设计,增加散热风扇。
    2. 调整驱动电路:降低电路电容,优化驱动电阻选择。
    3. 更换或返修:如发现是器件本身问题,则需要更换或返修产品。

    总结和推荐


    综合评估
    IPD85P04P4-07凭借其出色的电气特性、高可靠性以及广泛的适用性,成为了一款优秀的功率晶体管产品。它不仅适用于汽车电子领域,也广泛应用于工业自动化和电源管理等场合。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和可靠性,我们强烈推荐使用这款OptiMOS®-P2功率晶体管。对于需要高效率、高稳定性的应用场合,这款晶体管无疑是最佳选择。

IPD85P04P4-07参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 88W
栅极电荷 89nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5.3mΩ
Id-连续漏极电流 85A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD85P04P4-07厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD85P04P4-07数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD85P04P4-07 IPD85P04P4-07数据手册

IPD85P04P4-07封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 12.5836
150+ ¥ 12.3738
250+ ¥ 12.1641
500+ ¥ 11.9544
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