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IPD60R280CFD7ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS系列, Vds=650 V, 9 A, TO-252封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2807985
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD60R280CFD7ATMA1

IPD60R280CFD7ATMA1概述


    产品简介


    IPD60R280CFD7 是一种由Infineon Technologies设计并生产的高性能CoolMOS™ CFD7功率器件。作为CoolMOS™ CFD2系列的继任者,这款产品特别适用于软开关拓扑,如零电压开关(ZVS)全桥和LLC转换器。其显著特点是超快体二极管、低栅极电荷和出色的硬换向稳健性。这种创新的技术使它能够在高效率的谐振拓扑中展现出卓越的表现。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 最大漏源电压 \(V{DS}\): 650 V
    - 最大漏极电流 \(I{D}\): 9 A (Tc=25°C),6 A (Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流 \(I{D,pulse}\): 31 A (Tc=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 36 mJ (ID=2.5A, VDD=50V)
    - 重复雪崩能量 \(E{AR}\): 0.18 mJ (ID=2.5A, VDD=50V)
    - 雪崩电流 \(I{AS}\): 2.5 A
    - 最大栅极-源极电压 \(V{GS}\): ±20 V (静态),±30 V (动态)
    - 热特性:
    - 热阻 (结至外壳) \(R{thJC}\): 2.43 °C/W
    - 热阻 (结至环境) \(R{thJA}\): 62 °C/W (无空气流冷却,最小引脚)

    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 \(V{(BR)DSS}\): 600 V (VGS=0V, ID=1 mA)
    - 栅极阈值电压 \(V{(GS)th}\): 3.5~4.5 V (VDS=VGS, ID=0.18 mA)
    - 漏极源极导通电阻 \(R{DS(on)}\): 0.237 Ω (VGS=10V, ID=3.6A, Tj=25°C)
    - 输入电容 \(C{iss}\): 807 pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250 kHz)
    - 输出电容 \(C{oss}\): 14 pF (VGS=0V, VDS=400V, f=250 kHz)

    产品特点和优势


    - 超快体二极管: 有助于减少开关损耗,提高整体效率。
    - 低栅极电荷: 降低了开关损耗和系统功耗。
    - 最佳反向恢复电荷 \(Q{rr}\): 改善了MOSFET反向二极管的dv/dt和di/dt鲁棒性。
    - 最佳电阻乘以输出电容 \(R{DS(on)} E{oss}\): 提升了频率操作的效率。
    - 业内领先导通电阻 \(R{DS(on)}\): 在表面贴装和通孔封装中表现出色。
    - 优越的硬换向稳健性: 具有出色的可靠性,尤其适用于高可靠性的应用场合。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:
    - 软开关拓扑: 例如相移全桥和LLC转换器。
    - 服务器: 数据中心电源管理。
    - 电信设备: 交换机和路由器的电源系统。
    - 电动汽车充电站: 为电动车辆提供高效充电方案。
    - 使用建议:
    - 在多管并联应用时,考虑使用铁氧体磁珠或分立的推拉电路来提高系统稳定性。
    - 在使用时要注意避免过高的温度和过大的瞬态负载,确保散热良好。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品符合工业标准,适合各种软开关拓扑的应用。
    - 支持: Infineon提供了全面的技术文档和支持服务,包括网页上的应用笔记和仿真模型。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品能否承受高电流脉冲?
    - 解决方案: 产品具有很高的脉冲电流能力(31 A),但需确保良好的散热和避免长期过载运行。

    - 问题: 是否需要额外的保护措施以防止雪崩现象?
    - 解决方案: 建议根据负载特性选择合适的外部保护电路,如TVS二极管。

    总结和推荐


    IPD60R280CFD7是一款高性能的CoolMOS™ CFD7 MOSFET,具有极低的导通电阻、出色的开关性能和高可靠性。它非常适合用于软开关拓扑、服务器、电信和电动汽车充电站等领域。尽管价格较高,但其卓越的性能和可靠性使其成为高性能应用的理想选择。强烈推荐给那些需要高效率、高可靠性解决方案的设计工程师。

IPD60R280CFD7ATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 180µA
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 9A
Rds(On)-漏源导通电阻 280mΩ@ 3.6A,10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 807pF@400V
通道数量 1
最大功率耗散 51W(Tc)
栅极电荷 18nC@ 10 V
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPD60R280CFD7ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD60R280CFD7ATMA1数据手册

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IPD60R280CFD7ATMA1封装设计

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