处理中...

首页  >  产品百科  >  IPA032N06N3 G

IPA032N06N3 G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 41W(Tc) 20V 4V@ 118µA 165nC@ 10 V 1个N沟道 60V 3.2mΩ@ 80A,10V 84A 13nF@30V TO-220 通孔安装 10.65mm*4.85mm*16.15mm
供应商型号: IPA032N06N3 G
供应商: 国内现货
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPA032N06N3 G

IPA032N06N3 G概述

    # 电子元器件产品技术手册:IPA032N06N3 G OptiMOSTM3 功率晶体管

    产品简介


    IPA032N06N3 G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,采用 OptiMOSTM3 技术制造。它主要用于高频开关和同步整流电路,适用于 DC/DC 转换器、电源管理和电机驱动等领域。其独特的设计使其具备出色的功率处理能力和高效的能源转换效率。

    技术参数


    以下是 IPA032N06N3 G 的关键技术和性能参数:
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25°C: 84 A
    - TC=100°C: 60 A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse):
    - TC=25°C: 336 A
    - 雪崩能量 (EAS):
    - ID=100 A, RGS=25Ω: 235 mJ
    - 最大击穿电压 (V(BR)DSS):
    - VGS=0 V, ID=1 mA: 60 V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):
    - VDS=60 V, VGS=0 V, Tj=25°C: ≤0.1 µA
    - VDS=60 V, VGS=0 V, Tj=125°C: ≤10 µA
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS=10 V, ID=80 A: ≤3.2 mΩ
    - 热阻 (RthJC):
    - - - 3.7 K/W
    - 栅源电荷 (QG):
    - - 124 - 165 nC

    产品特点和优势


    IPA032N06N3 G 以其卓越的性能在多个方面展现出强大的竞争力:
    - 优秀的 FOM(品质因数): 高频开关和同步整流应用的理想选择。
    - 低漏源导通电阻: 有效的降低了功耗,提高了能效。
    - 宽泛的工作温度范围: -55°C 至 175°C,适应各种严苛的环境条件。
    - 100% 雪崩测试通过: 增强了可靠性和耐用性。
    - 符合 RoHS 和 Halogen-free 规范: 符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IPA032N06N3 G 广泛应用于各种高频开关电路,如 DC/DC 转换器和电机驱动系统。例如,在一个 500W DC/DC 转换器中,该器件能够显著提升系统的转换效率,降低功耗。
    使用建议
    - 在高温环境下使用时,建议外部散热措施,以确保良好的散热效果。
    - 为了最大化利用其低导通电阻特性,选择合适的栅极电阻值,一般建议在 1.3Ω 左右。

    兼容性和支持


    IPA032N06N3 G 采用标准 TO220-3-31 封装,便于安装和布局。Infineon 提供全面的技术支持,包括设计指南、应用手册和故障排除指南,确保用户能够充分发挥其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 高温下漏极电流不足。
    - 解决方案: 确认是否有足够的散热措施,必要时增加外部散热器。

    2. 问题: 栅极驱动不稳定。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电路,选择合适的栅极电阻值,以避免信号振荡。
    3. 问题: 工作温度超出额定范围。
    - 解决方案: 选择更适合的工作环境或考虑使用其他高耐温型号的产品。

    总结和推荐


    IPA032N06N3 G 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的高频开关性能和低损耗特性,非常适合于各类高频开关电路。其卓越的性能和广泛的应用范围使其在市场上具有很强的竞争力。强烈推荐给需要高效能功率管理解决方案的设计者和工程师。

IPA032N06N3 G参数

参数
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 118µA
Rds(On)-漏源导通电阻 3.2mΩ@ 80A,10V
配置 独立式
栅极电荷 165nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 41W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 13nF@30V
Id-连续漏极电流 84A
长*宽*高 10.65mm*4.85mm*16.15mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

IPA032N06N3 G厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPA032N06N3 G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPA032N06N3 G IPA032N06N3 G数据手册

IPA032N06N3 G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ ¥ 22.5792
1000+ ¥ 22.2029
2000+ ¥ 21.8266
4000+ ¥ 21.4502
库存: 500
起订量: 500 增量: 500
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 11289.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831