处理中...

首页  >  产品百科  >  IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Infineon N沟道MOS管, Vds=75 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 2496906
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPB80N08S2L07ATMA1

IPB80N08S2L07ATMA1概述

    IPB80N08S2L-07 和 IPP80N08S2L-07 产品概述

    1. 产品简介


    IPB80N08S2L-07 和 IPP80N08S2L-07 是Infineon公司推出的 OptiMOS™ 功率晶体管,具有出色的电性能和可靠性。这两种产品是N沟道逻辑级增强型晶体管,适用于汽车和工业领域的多种应用。

    2. 技术参数


    - 主要特性:
    - N沟道逻辑级增强型
    - 汽车级认证(符合AEC Q101标准)
    - 峰值回流温度可达260°C
    - 最高工作温度为175°C
    - 绿色包装(无铅)
    - 超低导通电阻(Rds(on))
    - 经受100%雪崩测试
    - 最大额定值:
    - 连续漏极电流 (Tc=25°C, VGS=10V):80A
    - 脉冲漏极电流 (Tc=25°C):320A
    - 单脉冲雪崩能量 (ID=80A):810mJ
    - 栅源电压:±20V
    - 功耗 (Tc=25°C):300W
    - 工作和存储温度范围:-55°C ~ +175°C
    - 热特性:
    - 结到壳体热阻 (RthJC):0.5K/W
    - 结到环境热阻 (RthJA):62K/W(引线封装);最小版图62K/W,散热面积为6cm²时40K/W
    - 电气特性:
    - 击穿电压 (V(BR)DSS):75V (VGS=0V, ID=1mA)
    - 栅阈电压 (VGS(th)):1.2V ~ 2.0V (VDS=VGS, ID=250µA)
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):0.01µA ~ 1µA (VDS=75V, VGS=0V)
    - 栅源漏电流 (IGSS):1nA ~ 100nA (VGS=20V, VDS=0V)
    - 导通电阻 (RDS(on)):4.8mΩ ~ 6.8mΩ (VGS=10V, ID=80A)

    3. 产品特点和优势


    - 超低导通电阻:低至4.8mΩ(VGS=10V, ID=80A),使得在大电流条件下,功率损耗显著降低,提高效率。
    - 高温性能:最高工作温度可达175°C,非常适合恶劣环境下的应用。
    - 高可靠性和稳定性:经过100%雪崩测试,确保长期可靠运行。
    - 绿色环保:采用无铅绿色封装,符合环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:这些器件广泛应用于汽车电子(如电机驱动、电池管理系统)、工业控制(如开关电源、逆变器)、消费电子(如电动工具)等领域。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到最大电流和电压限制,以避免过载。
    - 使用散热器和良好布局,确保良好的热管理。
    - 尽量减小PCB铜箔的电阻,以提高整体性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IPB80N08S2L-07 采用PG-TO263-3-2封装,IPP80N08S2L-07 采用PG-TO220-3-1封装。这些封装与其他常见的同类产品兼容,易于替换。
    - 支持和服务:Infineon提供详细的技术文档和支持,包括设计指南、应用笔记等,以帮助客户更好地使用和集成这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热导致器件失效。
    - 解决方案:合理选择散热措施,如增加散热片或采用更高效的散热材料。
    - 问题2:击穿电压不足。
    - 解决方案:确保电路设计中留有足够的安全裕度,特别是在高温条件下。
    - 问题3:导通电阻过高。
    - 解决方案:选择合适的驱动电压(例如10V),并注意器件的热稳定性和负载条件。

    7. 总结和推荐


    IPB80N08S2L-07 和 IPP80N08S2L-07 是高性能、高可靠性的N沟道逻辑级增强型功率晶体管,适合于各种高压、高电流的应用场合。其超低导通电阻、高温稳定性和绿色环保特性使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐在需要高效、可靠的电力转换和控制系统中使用这些产品。

IPB80N08S2L07ATMA1参数

参数
Id-连续漏极电流 80A
栅极电荷 233nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 75V
最大功率耗散 300W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 6.8mΩ@ 80A,10V
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.4nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPB80N08S2L07ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPB80N08S2L07ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1数据手册

IPB80N08S2L07ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 49.9601
10+ ¥ 35.6899
100+ ¥ 33.9054
250+ ¥ 32.2271
500+ ¥ 30.602
库存: 1898
起订量: 5 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 49.96
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336