处理中...

首页  >  产品百科  >  IPP60R190P6XKSA1

IPP60R190P6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 151W(Tc) 20V 4.5V@ 630µ 11nC@ 10 V 1个N沟道 600V 190mΩ@ 7.6A,10V 20.2A 1.75nF@100V TO-220 通孔安装 10.36mm(长度)
供应商型号: REB-TMOS1101
供应商: 海外现货
标准整包数: 500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP60R190P6XKSA1

IPP60R190P6XKSA1概述

    600V CoolMOS™ P6 Power Transistor IPP60R190P6 技术手册解析

    产品简介


    CoolMOS™ P6 系列是Infineon Technologies推出的一款高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用超级结(Super Junction, SJ)技术设计。这种MOSFET具备极低的开关和导通损耗,广泛应用于功率管理和多市场领域的应用中,如功率因数校正(PFC)阶段、硬开关脉宽调制(PWM)阶段以及谐振开关阶段,例如个人电脑银盒、适配器、液晶和等离子电视、照明系统、服务器和电信设备以及不间断电源(UPS)。

    技术参数


    - 主要参数:
    - 最高电压:650V (VDS @ Tj,max)
    - 导通电阻:190mΩ (RDS(on),max)
    - 电荷典型值:37nC (Qg.typ)
    - 脉冲电流:57A (ID,pulse)
    - 输出电容:76pF (Coss)

    - 其他关键参数:
    - 二极管峰值反向恢复电流:25A (Irrm)
    - 二极管反向恢复时间:310ns (trr)
    - 动态开关特性,例如导通延迟时间和关断延迟时间分别为15ns和45ns。

    产品特点和优势


    - 高效能:CoolMOS™ P6 系列通过超结技术实现了极低的开关和导通损耗,使得开关应用更为高效、紧凑、轻便和冷却。
    - 易于使用:具有高耐受MOSFET dv/dt能力,保证了可靠的操作和简单易用的驱动特性。
    - 环保设计:采用无铅镀层和无卤素模具化合物,符合工业标准的JEDEC标准(J-STD-020 和 JESD-22)。
    - 高可靠性:极高的反向恢复速度和低漏电流确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    CoolMOS™ P6 在各种应用中表现出色,特别是在需要高效能功率转换的场景中。例如,在适配器或服务器电源供应器中,该MOSFET能够提高整体系统的效率并减少发热。针对并联使用的场景,建议使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路来增强稳定性。

    兼容性和支持


    CoolMOS™ P6 系列MOSFET具有广泛的兼容性,可用于多种工业和消费电子产品。Infineon提供了详尽的在线资源,包括产品网页、应用笔记、仿真模型及设计工具,以帮助用户更好地理解和利用这一产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:如何确保MOSFET在高频下可靠工作?
    - 解决方案:可以通过优化驱动电阻(RG)来减少开关损耗,并使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路来增强稳定性。

    - 问题二:并联使用多个MOSFET时应该注意什么?
    - 解决方案:当并联使用多个MOSFET时,需确保所有单元的栅极驱动一致性,以避免电流不均衡导致的热失控。

    总结和推荐


    CoolMOS™ P6系列600V MOSFET IPP60R190P6以其高效的转换能力和稳定的性能表现,成为市场上优秀的功率管理解决方案。它不仅适合应用于要求严格的工业环境中,也是对体积和重量有严格限制的应用的理想选择。综合其出色的性能和可靠性,强烈推荐在各类功率转换应用中选用该产品。

IPP60R190P6XKSA1参数

参数
最大功率耗散 151W(Tc)
通道数量 -
栅极电荷 11nC@ 10 V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20.2A
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 7.6A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.75nF@100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 630µ
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.36mm(长度)
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IPP60R190P6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP60R190P6XKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1数据手册

IPP60R190P6XKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.9881 ¥ 8.6655
1000+ $ 0.9623 ¥ 8.4394
1500+ $ 0.9451 ¥ 8.2887
2500+ $ 0.8537 ¥ 7.487
4000+ $ 0.8082 ¥ 7.0876
库存: 1000
起订量: 500 增量: 500
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 4332.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336