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BSP149 H6327

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.8W 20V 1V 11nC@ 5V 1个N沟道 200V 1.8Ω@ 10V 660mA 326pF@ 25V SOT-223-4 贴片安装,通孔安装 6.5mm*3.5mm*1.6mm
供应商型号: 726-BSP149H6327
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSP149 H6327

BSP149 H6327概述

    BSP149 SIPMOS® Small-Signal Transistor 技术手册

    产品简介


    BSP149 是一种 N 沟道增强型硅基功率 MOSFET,专为小信号应用设计。它具有出色的电气特性和宽泛的工作温度范围,适用于多种工业、消费电子及汽车电子领域。BSP149 符合 AEC-Q101 标准,并且是无卤素的环保产品。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 200 V
    - 最大漏源电阻 \(R{DS(on)}\): 3.5 Ω
    - 栅极源极电压 \(V{GS}\): ±20 V
    - 漏极连续电流 \(ID\): 0.66 A (在 TA = 25 °C 下)
    - 反向恢复时间 \(t{rr}\): 42 - 65 ns
    - 热阻抗 \(R{thJS}\): 25 K/W (结至焊点)
    - 功率耗散 \(P{tot}\): 1.8 W (在 TA = 25 °C 下)
    - 电气特性
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \(V(BR)DSS\): 200 V
    - 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\): -1.8 V 至 -1.45 V
    - 开启状态漏极电流 \(I{DSS}\): 140 mA (在 \(V{GS} = 0\) V, \(V{DS} = 10\) V 下)
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 326 - 430 pF
    - 输出电容 \(C{oss}\): 41 - 55 pF
    - 门限电荷 \(Qg\): 11 - 14 nC

    产品特点和优势


    - 独特功能
    - 高耐压能力:高达 200 V,适合高压应用
    - 低导通电阻:最大 3.5 Ω,保证低功耗运行
    - 快速开关速度:反向恢复时间短(42 - 65 ns),适用于高频应用
    - 优势
    - 遵循严格的环保标准,无卤素材料,符合 RoHS 规范
    - 良好的热稳定性,适用于恶劣工作环境
    - 经过 AEC-Q101 认证,适用于汽车电子应用

    应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - 电源管理电路中的开关元件
    - 工业自动化控制中的驱动模块
    - 汽车电子系统中的电源转换器
    - 使用建议
    - 在高温环境下使用时,注意降低最大功耗以避免过热
    - 结合低频和高频应用的特性,选择合适的栅极驱动方式
    - 使用 PCB 设计工具来优化散热路径,减少热阻

    兼容性和支持


    - 兼容性
    - 具有广泛的栅极驱动电压范围,易于与各种控制器兼容
    - 支持
    - Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和故障排除手册
    - 用户可以通过访问官方网站获取最新资料和技术支持

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开启延迟时间长
    - 解决方法: 减少门限电荷 \(Qg\) 或增加驱动电压,确保快速开关
    - 问题 2: 导通电阻高
    - 解决方法: 选择合适的栅极驱动电压和电流,尽量降低 \(V{GS}\) 偏置电压
    - 问题 3: 反向恢复时间过长
    - 解决方法: 优化 PCB 布局以减少寄生电感,选择适当的外接电容器以减少开关损耗

    总结和推荐


    BSP149 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种应用场景。其出色的电气特性和广泛的工作温度范围使其成为许多应用的理想选择。推荐在需要高效能和稳定性的场合使用此产品。

BSP149 H6327参数

参数
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 326pF@ 25V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.8W
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 660mA
栅极电荷 11nC@ 5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
长*宽*高 6.5mm*3.5mm*1.6mm
通用封装 SOT-223-4
安装方式 贴片安装,通孔安装
包装方式 卷带包装

BSP149 H6327厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSP149 H6327数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSP149 H6327 BSP149 H6327数据手册

BSP149 H6327封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.6445 ¥ 13.896
10+ $ 1.1075 ¥ 9.358
100+ $ 0.7447 ¥ 6.2927
500+ $ 0.6545 ¥ 5.5304
1000+ $ 0.5648 ¥ 4.7729
2000+ $ 0.5616 ¥ 4.7455
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