处理中...

首页  >  产品百科  >  BSZ018NE2LS

BSZ018NE2LS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 2.1W 20V 2V 39nC 1个N沟道 25V 1.8mΩ@ 10V 40A 2.8nF@ 12V SON 贴片安装,黏合安装 3.3mm*3.3mm*1.1mm
供应商型号: 726-BSZ018NE2LS
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) BSZ018NE2LS

BSZ018NE2LS概述


    产品简介


    产品名称:OptiMOSTM Power-MOSFET,电压等级25V
    产品型号:BSZ018NE2LS
    封装形式:TSDSON-8 FL(S3O8)
    主要功能:此款电源管理MOSFET主要用于高效率的降压转换器(如服务器、显卡等领域),具备低导通电阻(RDS(on))和高频率开关性能,能够显著提高电力转换效率。
    应用领域:适用于数据中心、服务器、个人电脑及外设、电动汽车充电基础设施等领域。

    技术参数


    - 电压范围:25V
    - 最大漏源击穿电压(V(BR)DSS):25V
    - 最大漏极连续电流(ID):153A @ VGS=10V, TC=25°C;97A @ VGS=10V, TC=100°C
    - 最大门限电压(VGS(th)):1.2V 至 2V @ VDS=VGS, ID=250μA
    - 最大导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ @ VGS=10V;2.4mΩ @ VGS=4.5V
    - 最大热阻抗(RthJC):1.8K/W
    - 最大热阻抗(RthJA):60K/W
    - 反向二极管的最大持续正向电流(IS):63A @ TC=25°C
    - 最大栅极-源极漏电电流(IGSS):100nA @ VGS=20V, VDS=0V

    产品特点和优势


    - 优化的高效率:专为高效率的降压转换器设计,非常适合用于服务器、显卡等高性能应用场景。
    - 极低的FOM值:通过降低漏源导通电阻(RDS(on))与开关损耗,实现高频率开关。
    - 出色的温度特性:即使在高温条件下也能保持稳定性能,且具有优异的热稳定性。
    - 环保设计:采用无铅电镀,符合RoHS标准,并且是卤素自由的,符合IEC61249-2-21标准。
    - 全面认证:按照JEDEC标准认证,适合目标应用领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数据中心:用于服务器的电源管理,提高系统能效。
    - 电动汽车充电站:用于充电基础设施,确保高效转换电力。
    使用建议
    - 在高频应用中,应考虑散热问题以维持长期稳定性。
    - 由于其出色的热稳定性,无需额外复杂散热设计即可满足大部分需求。
    - 注意控制输入和输出电容,以避免不必要的能量损失。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET可以无缝集成到现有的电路设计中,与其他同类产品有良好的互操作性。
    - 支持与维护:Infineon提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助客户解决使用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:高频率下的开关损耗较高。
    - 解决方法:选择合适的驱动电阻(RG)以优化开关性能。
    - 问题2:长时间运行后的热稳定性问题。
    - 解决方法:优化散热设计,确保MOSFET在安全的工作温度范围内运行。
    - 问题3:启动时的过冲现象。
    - 解决方法:在启动电路中添加适当的滤波元件,减少过冲幅度。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:BSZ018NE2LS MOSFET凭借其高效率、低损耗和出色的热稳定性,在高频应用中表现出色,特别是在需要长时间运行和严格温度控制的应用场景中。
    - 推荐使用:强烈推荐使用此款MOSFET应用于需要高效、可靠电力转换的场合,尤其是在数据中心、服务器和电动汽车充电设施中。
    综上所述,BSZ018NE2LS MOSFET是一款性能卓越、适用广泛的电源管理器件,非常值得推荐给需要高效、稳定电力转换解决方案的设计者们。

BSZ018NE2LS参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 2.1W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 1.8mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 40A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.8nF@ 12V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式quaddrain
栅极电荷 39nC
Vds-漏源极击穿电压 25V
长*宽*高 3.3mm*3.3mm*1.1mm
通用封装 SON
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

BSZ018NE2LS厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

BSZ018NE2LS数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES BSZ018NE2LS BSZ018NE2LS数据手册

BSZ018NE2LS封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.081 ¥ 9.1345
10+ $ 1.0615 ¥ 8.9693
100+ $ 0.7634 ¥ 6.4507
500+ $ 0.6361 ¥ 5.3752
1000+ $ 0.5746 ¥ 4.855
5000+ $ 0.5576 ¥ 4.7113
10000+ $ 0.5366 ¥ 4.5338
库存: 7568
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 9.13
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336