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IPP65R190C6XKSA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 151W(Tc) 20V 3.5V@ 730µA 73nC@ 10 V 1个N沟道 650V 190mΩ@ 7.3A,10V 20.2A 1.62nF@100V TO-220 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: 2839471
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPP65R190C6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1概述

    650V CoolMOS™ C6 Power Transistor IPx65R190C6 技术手册解析

    1. 产品简介


    CoolMOS C6 是一种由英飞凌科技开发的高性能高压功率 MOSFET,采用超级结(Super Junction)原理。CoolMOS C6 系列结合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与高端创新,提供了超快开关速度的同时保持了易于使用的特性。这款产品特别适用于开关应用,可提高效率、紧凑性和散热性能。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 最高持续漏极电流 (ID):20.2 A(TC=25°C),12.8 A(TC=100°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):485 mJ(ID=3.5 A,VDD=50 V)
    - 反复雪崩能量 (EAR):0.73(ID=3.5 A,VDD=50 V)
    - 最大漏源电压 (VDS):700 V
    - 极端情况下门极-源极电压 (VGS):±20 V 静态,±30 V AC(f>1 Hz)
    - 电气特性
    - 门极阈值电压 (VGS(th)):2.5~3.5 V(VDS=VGS,ID=0.73 mA)
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值 0.19 Ω(VGS=10 V,ID=7.3 A,TC=25°C)
    - 输入电容 (Ciss):1620 pF(VGS=0 V,VDS=100 V)
    - 输出电容 (Coss):98 pF(f=1 MHz)
    - 门极到源极电荷 (Qgs):典型值 8.9 nC(VDD=480 V,ID=11 A)
    - 门极总电荷 (Qg):典型值 73 nC
    - 反向恢复时间 (trr):典型值 410 ns(VR=400 V,IF=11 A)

    - 热特性
    - 结-壳热阻 (RthJC):非 FullPAK 版本为 0.83 °C/W,FullPAK 版本为 3.7 °C/W
    - 结-环境热阻 (RthJA):非 FullPAK 版本为 62 °C/W(带引线封装),SMD 版本为 62 °C/W(最小足迹),SMD 版本为 35 °C/W(6cm² 散热面积)

    3. 产品特点和优势


    CoolMOS C6 系列产品具备以下显著优势:
    - 低损耗:非常低的品质因数(RdsonQg 和 Eoss)使切换损耗显著降低。
    - 高耐用性:出色的开关耐久性使其适用于高频开关应用。
    - 易用性:简单的驱动方式使得该产品易于集成。
    - 环保认证:J-STD 认证,无铅镀层,无卤素,满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    CoolMOS C6 系列广泛应用于以下领域:
    - 功率因数校正 (PFC) 阶段
    - 硬开关 PWM 阶段
    - 谐振开关 PWM 阶段
    例如,在计算机银盒、适配器、LCD 与 PDP 电视、照明、服务器、电信和不间断电源系统中的应用。
    建议用户在并联 MOSFET 时,应在门极上使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路,以确保稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    CoolMOS C6 系列有多种封装形式,如 TO-247、TO-263、TO-262、TO-220 FullPAK 等。英飞凌提供相关的在线资源和设计工具,以便于用户进行产品选型和设计。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:如何处理并联 MOSFET 的稳定性?
    - 解决方案:建议在门极上使用铁氧体磁珠或独立的推拉电路。
    2. 问题:在高温条件下,如何避免过热?
    - 解决方案:确保散热系统的有效运行,并根据温度限制选择适当的散热方法。

    7. 总结和推荐


    CoolMOS C6 系列是一款具有卓越性能的高压功率 MOSFET,非常适合需要高效、可靠电力转换的应用。其显著的优点在于低损耗、高耐用性和易用性。鉴于其广泛的适用性和高性能表现,强烈推荐给对电力转换效率有较高要求的客户。

IPP65R190C6XKSA1参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 73nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.62nF@100V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 730µA
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 7.3A,10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 151W(Tc)
Id-连续漏极电流 20.2A
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 新设计不推荐
包装方式 散装,管装

IPP65R190C6XKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPP65R190C6XKSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R190C6XKSA1 IPP65R190C6XKSA1数据手册

IPP65R190C6XKSA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 16.2442
10+ ¥ 13.995
100+ ¥ 13.7451
500+ ¥ 13.4952
1000+ ¥ 13.4952
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型号 价格(含增值税)
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