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IRLR7821PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 75W(Tc) 20V 1V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 10mΩ@ 15A,10V 65A 1.03nF@15V TO-252 贴片安装
供应商型号: 9102400
供应商: element14
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRLR7821PBF

IRLR7821PBF概述

    # HEXFET Power MOSFET 技术概述

    产品简介


    IRLR7821PbF 和 IRLU7821PbF 是由 Infineon Technologies(原 International Rectifier)推出的 HEXFET® 功率 MOSFET,广泛应用于高效率电源转换领域。这些器件以其非常低的导通电阻 (RDS(on)) 和超低栅极阻抗著称,在多种高频率开关应用中表现出色。主要应用包括计算机处理器电源的高频同步降压转换器,以及电信和工业用途中的高频隔离式 DC-DC 转换器。此外,它们采用无铅设计,符合现代环保要求。
    主要功能
    - 极低的 RDS(on),尤其是在 4.5V 栅极电压下
    - 超低栅极阻抗
    - 全面的雪崩电压和电流特征
    应用领域
    - 计算机处理器电源
    - 电信和工业设备中的高频隔离式 DC-DC 转换器
    - 同步整流应用

    技术参数


    | 参数 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | 栅极至源极电压 (VGS) | V | ±20 | - | - |
    | 漏极至源极电压 (VDS) | V | - | 30 | - |
    | 连续漏极电流 (ID) @ 25°C | A | - | 12 | - |
    | 连续漏极电流 (ID) @ 100°C | A | - | 4.5 | - |
    | 栅极电荷 (Qg) | nC | - | 10 | 14 |
    | 阻抗 (RDS(on)) @ 4.5V VGS | mΩ | - | 7.5 | 10 |
    工作环境
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    1. 极低的 RDS(on):尤其在较低的栅极电压下表现优异,适合于需要高能效的应用。
    2. 超低栅极阻抗:减少驱动损耗,提高整体系统效率。
    3. 全面的雪崩特性:增强器件在极端条件下的可靠性和耐用性。
    4. 卓越的热管理:提供较低的热阻值 (RθJA),确保在高功率运行下的散热性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 在高频同步降压转换器中,用于优化计算机处理器电源的效率。
    - 作为电信设备中的关键组件,为高效率的 DC-DC 转换器提供支持。
    使用建议
    - 确保适当的电路板布局以优化热管理和降低寄生效应。
    - 在设计中合理考虑器件的栅极驱动电路,以充分利用其超低栅极阻抗的优势。

    兼容性和支持


    兼容性
    - IRLR7821PbF 和 IRLU7821PbF 均支持无铅焊接工艺,适用于多种现代电子制造标准。
    支持
    - Infineon 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速集成和部署这些器件。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关波形异常 | 检查电路板布局及驱动电路的设计。 |
    | 温度过高 | 优化散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 输出电流不稳定 | 确认负载情况并调整电路参数。 |

    总结和推荐


    综合评估
    IRLR7821PbF 和 IRLU7821PbF 是高性能功率 MOSFET 的典范,特别适用于高频率、高效能的应用场景。其出色的 RDS(on) 特性、优秀的热管理和全面的雪崩保护使其在市场上具有显著的竞争优势。
    推荐结论
    我们强烈推荐这些器件用于需要高效率、低功耗和良好散热性能的现代电源转换应用。通过其优异的技术参数和市场竞争力,这些产品无疑将为您的设计带来显著的价值提升。

IRLR7821PBF参数

参数
最大功率耗散 75W(Tc)
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.03nF@15V
Id-连续漏极电流 65A
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 10mΩ@ 15A,10V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.52mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRLR7821PBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRLR7821PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7821PBF IRLR7821PBF数据手册

IRLR7821PBF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.7454 ¥ 6.2389
10+ $ 0.6051 ¥ 5.0649
100+ $ 0.491 ¥ 4.1099
500+ $ 0.4179 ¥ 3.4982
1000+ $ 0.3513 ¥ 2.9402
5000+ $ 0.3295 ¥ 2.7578
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