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IPDD60R125G7XTMA1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: MOS管, Vds=650 V, 20 A, PG-HDSOP-10封装, 表面贴装
供应商型号: 2583875
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPDD60R125G7XTMA1

IPDD60R125G7XTMA1概述

    600V CoolMOS™ G7 SJ Power Device IPDD60R125G7 技术手册

    1. 产品简介


    IPDD60R125G7 是一款采用 CoolMOS™ G7 技术的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品特别适用于高功率/高性能开关电源系统,如计算机、服务器、电信设备和不间断电源(UPS)等领域的电源管理解决方案。此款 MOSFET 集成了 C7 GOLD CoolMOS™ 技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高速开关能力和卓越的热性能。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 最大漏源电压 (VDS@Tj,max): 650V
    - 最大持续漏极电流 (ID,continuous @ Tj<150°C): 27A
    - 脉冲漏极电流 (ID,pulse): 54A
    - 导通电阻 (RDS(on),max): 125mΩ
    - 门极电荷 (Qg,typ): 27nC
    - 储存二极管反向恢复能量 (Eoss@400V): 3.27μJ
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大 0.269Ω
    - 输入电容 (Ciss): 最大 1080pF
    - 输出电容 (Coss): 最大 22pF
    - 门极到源极电荷 (Qgs): 最大 5nC
    - 门极到漏极电荷 (Qgd): 最大 10nC
    - 开关时间 (td(on),tr): 最大 18ns 和 5ns
    - 关断延迟时间 (td(off),tf): 最大 60ns 和 5ns

    3. 产品特点和优势


    - 效率提升: 由于 C7 GOLD 技术的应用,FOM (RDS(on) Qg) 比前代产品提高了 15%,有助于实现更快的开关速度,从而提高效率。
    - 空间节省: 在相同电流密度下,DDPAK 封装将 RDS(on) 降低至 50mΩ,相比传统封装更为紧凑。
    - 快速开关: 低寄生源电感(约 3nH),加上 Kelvin 源配置,有助于减少寄生效应并改善切换效率。
    - 可靠性和易用性: DDPAK 封装标准高,易于使用且兼容 MSL1,保证了产品质量。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景: 主要应用于功率因数校正(PFC)阶段和 PWM 阶段(如 LLC),适合用于计算、服务器、电信、不间断电源和太阳能等领域的高功率/高性能开关电源。
    - 使用建议: 在并联 MOSFET 时,通常建议使用扼流圈(ferrite beads)连接门极或独立的复合结构,以避免不必要的干扰。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 本产品采用 DDPAK 封装,与其他符合标准的设备高度兼容。
    - 支持: 提供了详细的仿真模型和设计工具,可以在 Infineon 官网上获取更多技术文档和支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1: 并联 MOSFET 时可能出现电流不均问题。
    - 解决方案: 使用扼流圈连接门极以均衡电流。
    - 问题 2: 开关过程中出现不稳定现象。
    - 解决方案: 确保正确的门极驱动电路设置,使用合适的外部电容进行滤波。

    7. 总结和推荐


    IPDD60R125G7 是一款高效、可靠的 MOSFET 产品,具有出色的性能和易用性,适用于多种高功率应用场合。其优越的电气特性和强大的热稳定性使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐该产品用于需要高性能开关解决方案的设计项目。

IPDD60R125G7XTMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 320µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.08nF@400V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 120W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 125mΩ@ 6.4A,10V
Vds-漏源极击穿电压 600V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 27nC@ 10 V
Id-连续漏极电流 20A
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IPDD60R125G7XTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPDD60R125G7XTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1数据手册

IPDD60R125G7XTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 24.5262
100+ ¥ 20.5642
250+ ¥ 20.5111
500+ ¥ 17.6219
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