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IPD30N08S2L-21

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 136W 20V 1.2V 56nC@ 10V 1个N沟道 75V 20.5mΩ@ 10V 30A 1.65nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm*6.22mm*2.3mm
供应商型号: IPD30N08S2L-21
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IPD30N08S2L-21

IPD30N08S2L-21概述


    产品简介


    IPD30N08S2L-21 OptiMOS® Power Transistor
    IPD30N08S2L-21是一款由Infineon Technologies制造的N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管(Power-Transistor)。其广泛应用于汽车、工业自动化、消费电子等领域。该器件具备卓越的性能和可靠性,适用于高电流和高温度的应用环境。通过采用先进的OptiMOS技术,IPD30N08S2L-21实现了低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,使其在多种应用场景中表现出色。

    技术参数


    以下是IPD30N08S2L-21的主要技术参数:
    - 最大连续漏极电流:30 A(TC=25 °C时)
    - 脉冲漏极电流:120 A
    - 雪崩能量(单脉冲):240 mJ
    - 栅源电压范围:±20 V
    - 最大功率耗散:136 W(TC=25 °C时)
    - 工作及存储温度范围:-55 °C 至 +175 °C
    - 热阻:结至外壳热阻 RthJC:1.1 K/W;结至环境热阻 RthJA(铅直):100 K/W,SMD版本最小基板热阻 RthJA:75 K/W(6 cm²散热面积)
    - 漏源击穿电压:75 V
    - 零栅压漏极电流:≤1 μA(Tj=25 °C时)
    - 反向恢复时间:≤50 ns(Vr=40 V,If=Is,di/dt=100 A/μs)
    - 反向恢复电荷:≤120 nC(Vr=40 V,If=Is,di/dt=100 A/μs)

    产品特点和优势


    IPD30N08S2L-21具有如下显著特点和优势:
    - N沟道逻辑电平增强型:适用于各种低压驱动场合,简化电路设计。
    - 符合AEC-Q101标准:保证了汽车级应用的可靠性和稳定性。
    - 绿色封装(无铅):环保且安全,符合国际环保要求。
    - 超低导通电阻(Rds(on)):最大限度降低了导通损耗,提高效率。
    - 百分之百雪崩测试:确保在极端条件下的耐用性和可靠性。
    - MSL1认证:在高达260°C的峰值回流焊条件下具有高可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:IPD30N08S2L-21在电动汽车的牵引逆变器中表现优异。这些逆变器需要高效率和高可靠性的功率转换,IPD30N08S2L-21的低导通电阻特性非常适合此类应用。此外,在工业自动化设备的电机控制中,该器件也表现出色,提供了出色的电流控制能力和耐高温性能。
    使用建议:在选择电源布局时,应充分考虑散热需求。建议在使用IPD30N08S2L-21时采用较大的散热片,并合理规划电路板上的铜箔面积,以提高散热效果。同时,要注意避免电路过载,以减少热应力对器件的损害。

    兼容性和支持


    IPD30N08S2L-21具有良好的兼容性,可与多种电路设计兼容。制造商Infineon Technologies提供了详细的技术支持文档和应用笔记,帮助用户更好地理解和使用该器件。客户可以通过访问Infineon Technologies官方网站获取更多技术资料和支持信息。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确设置驱动电压以避免器件损坏?
    解决方案:确保驱动电压在栅源电压范围内(±20 V),并避免超过最大栅源电压限制,以防止损坏。
    问题2:在高功率应用中,如何有效管理发热?
    解决方案:增加散热片面积,采用大面积铜箔,并合理布置散热路径。必要时可以采用外部冷却系统,如风扇或液冷装置。
    问题3:器件在高温环境下能否正常工作?
    解决方案:IPD30N08S2L-21可在-55 °C至+175 °C的工作温度范围内稳定运行,但应确保良好的散热措施以维持在安全温度范围内。

    总结和推荐


    总体而言,IPD30N08S2L-21是一款具有高性能、高可靠性的N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管。它适用于多种高电流和高温度的应用场景,尤其适合汽车、工业自动化等领域。其卓越的低导通电阻、超高的雪崩耐受能力、优秀的散热性能和环保的无铅封装,使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐此产品用于需要高效率和高可靠性的应用场景。
    以上是对IPD30N08S2L-21产品的详细介绍,希望对您的应用选型提供有价值的参考。

IPD30N08S2L-21参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 20.5mΩ@ 10V
最大功率耗散 136W
通道数量 1
Id-连续漏极电流 30A
栅极电荷 56nC@ 10V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.65nF@ 25V
Vds-漏源极击穿电压 75V
长*宽*高 6.5mm*6.22mm*2.3mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
包装方式 卷带包装

IPD30N08S2L-21厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IPD30N08S2L-21数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) INFINEON TECHNOLOGIES IPD30N08S2L-21 IPD30N08S2L-21数据手册

IPD30N08S2L-21封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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