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IRFZ46ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 82W(Tc) 20V 4V@ 250µA 46nC@ 10 V 1个N沟道 55V 13.6mΩ@ 31A,10V 51A 1.46nF@25V TO-220AB 通孔安装 10mm*4.4mm*15.65mm
供应商型号: IRFZ46ZPBF-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 场效应管(MOSFET) IRFZ46ZPBF

IRFZ46ZPBF概述

    IRFZ46ZPbF、IRFZ46ZSPbF、IRFZ46ZLPbF 技术手册

    产品简介


    IRFZ46ZPbF、IRFZ46ZSPbF、IRFZ46ZLPbF 是由International Rectifier公司(现为英飞凌科技的一部分)生产的HEXFET® Power MOSFET。这些电子元器件广泛应用于电力转换系统、电机驱动器、开关电源等领域。它们以其高效能、高可靠性以及低功耗等特点而闻名。

    技术参数


    - 基本规格
    - 最大漏源电压 (VDSS): 55V
    - 最大漏电流 (ID): 51A (TC = 25°C), 36A (TC = 100°C)
    - 静态导通电阻 (RDS(on)): 13.6mΩ
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): 200A
    - 最大功率耗散 (PD): 200W (TC = 25°C)
    - 热阻参数
    - 结到外壳热阻 (RθJC): 1.84°C/W
    - 外壳到散热片热阻 (RθCS): 0.50°C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA): 62°C/W
    - 电气特性
    - 栅极至源极电压 (VGS): ±20V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 300mJ (1.6mm from case)
    - 反复雪崩能量 (EAR): 51mJ
    - 动态特性
    - 开启延时时间 (td(on)): 13ns
    - 上升时间 (tr): 63ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 37ns
    - 下降时间 (tf): 39ns

    产品特点和优势


    - 先进的工艺技术: 采用了最新的加工技术,实现了极低的导通电阻。
    - 超高导电率: RDS(on)仅为13.6mΩ,使得功耗极低。
    - 快速开关能力: 快速的开启和关断时间可以显著提高系统的效率。
    - 耐高温: 可在高达175°C的工作温度下稳定运行。
    - 重复雪崩能力: 允许在最大结温范围内重复雪崩。
    - 无铅设计: 符合环保标准,降低环境污染。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: 广泛应用于各种电力转换系统、电机驱动器、开关电源等场合。
    - 使用建议:
    - 散热设计: 由于热阻较高,应特别注意散热设计,确保良好的热传导。
    - 电路布局: 为了减少寄生电感的影响,栅极引线应尽量短且粗。
    - 驱动电路设计: 适当增加栅极电阻,以防止高速切换带来的EMI问题。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性: 支持D2Pak、TO-220AB、TO-262封装,适用于多种电路板设计。
    - 支持和维护: 英飞凌科技提供了详尽的技术文档和在线技术支持,确保用户能够轻松进行设计和调试。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备过热。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保良好的热传导,增加散热片面积或改善通风。
    - 问题2: 开关速度慢。
    - 解决方案: 适当减小栅极电阻,确保驱动信号的快速响应。
    - 问题3: 栅极电压过高导致损坏。
    - 解决方案: 使用适当的栅极钳位电路,避免电压超过规定的范围。

    总结和推荐


    IRFZ46ZPbF、IRFZ46ZSPbF、IRFZ46ZLPbF 是高性能、高可靠性的MOSFET产品,尤其适用于需要高效、高功率密度的应用场合。虽然其价格相对较高,但其卓越的性能和稳定性使其成为许多工业级应用的理想选择。推荐给那些追求最高性能并愿意投资于质量的应用场合。
    本手册详细介绍了这些MOSFET的特性、规格及其应用,希望对您的设计和应用有所帮助。如需更多信息,请访问英飞凌科技官方网站或联系当地销售代表。

IRFZ46ZPBF参数

参数
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 46nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 82W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 55V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 13.6mΩ@ 31A,10V
Id-连续漏极电流 51A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.46nF@25V
通道数量 1
长*宽*高 10mm*4.4mm*15.65mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

IRFZ46ZPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRFZ46ZPBF数据手册

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IRFZ46ZPBF封装设计

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型号 价格(含增值税)
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